[发明专利]发光半导体器件

说明书

提出一种发光半导体器件(100)，所述发光半导体器件具有：‑具有主表面(10)的发光半导体芯片(1)，所述主表面具有辐射耦合输出面，经由所述辐射耦合输出面在运行中放射在第一波长范围内的第一光(91)。在主表面的第一子区域(11)上施加波长转换层(2)，所述波长转换层用于将第一光的至少一部分转换为在与第一波长范围不同的第二波长范围内的第二光(92)。光学反馈元件(3)直接施加在主表面的与第一子区域相邻的第二子区域(12)上，其中光学反馈元件将由第二子区域放射的第一光朝辐射耦合输出面的方向和/或朝波长转换层的方向转向。

技术领域

提出一种发光半导体器件。

本申请要求德国专利申请10 2017 129 623.9的优先权，其公开内容通过参引结合于此。

背景技术

为了借助于发光二极管芯片产生白光，通常在产生短波光、例如蓝光的发光二极管芯片上施加转换材料，所述转换材料将短波光的一部分转换为长波光。这种装置的发光密度分布然而受转换材料的随机的方向发射与发光二极管芯片的通常的朗伯放射特性的组合负面影响。尤其所述组合造成，白光具有不均匀的从而不利的发光密度分布。为了将发光密度分布均匀化，通常在转换器上使用孔眼或反射器，所述孔眼或反射器应当约束白光的角度分布。

发明内容

特定的实施方式的至少一个目的是，提出一种发光半导体器件。

所述目的通过根据独立权利要求的主题来实现。主题的有利的实施方式和改进方案的特征在于从属权利要求并且还从下面的说明书和附图中得到。

根据至少一个实施方式，发光半导体器件具有发光半导体芯片。发光半导体芯片尤其具有带有用于产生光的有源区域的半导体层序列。有源区域尤其可以具有有源层，在所述有源层中在运行中产生光。在运行中由发光半导体芯片所产生的光在此和在下文中也可以称作为第一光。特别优选地，可以借助于外延法，例如借助于金属有机气相外延(MOVPE)或分子束外延(MBE)制造半导体层序列。半导体层序列由此具有半导体层，所述半导体层沿着沿竖直方向的设置方向上下相叠地设置，所述竖直方向由生长方向给定。垂直于竖直方向，半导体层序列的层分别具有主延伸平面。平行于半导体层的主延伸平面的方向下面称作为横向方向。

发光半导体芯片具有主表面，所述主表面可以垂直于具有沿横向方向的主延伸平面的半导体层序列的生长方向设置，并且所述主表面具有辐射耦合输出面，经由所述辐射耦合输出面放射在运行中在半导体芯片中产生的第一光。尤其，辐射耦合输出面可以是半导体芯片的主表面。此外，发光半导体芯片具有一个主表面从而具有与辐射耦合输出面相对置的背侧。主表面和背侧可以经由芯片侧面彼此连接，所述芯片侧面对半导体芯片沿横向方向限界。背侧面或侧面之一可以形成安装面，借助所述安装面，半导体芯片例如可以设置在承载件上。借助侧面，主表面可以形成边缘，所述边缘对主表面沿横向方向限界。主表面的具有主表面的边缘的至少一部分的区域在此和在下文中也可以称作为边缘区域。

发光半导体芯片根据要产生的第一光可以具有基于不同半导体材料体系的半导体层序列。对于长波的、红外至红色的辐射，例如适合的是基于In_xGa_yAl_1-x-yAs的半导体层序列，对于红色至绿色的辐射例如适合的是基于In_xGa_yAl_1-x-yP的半导体层序列，并且对于更短波的可见的辐射，即尤其对于绿色至蓝色的辐射和/或对于UV辐射例如适合的是基于In_xGa_yAl_1-x-yN的半导体层序列，其中分别适用0≤x≤1并且0≤y≤1。为了电接触，发光半导体芯片可以具有接触层，借助于所述接触层在运行中可以将用于产生光的电流注入到半导体层序列中。此外，可以存在其他层和元件，例如在其上施加有半导体层序列的衬底、钝化层和/或镜层。发光半导体芯片例如可以构成为所谓的体积发射器，构成为薄膜半导体芯片或构成为倒装芯片。发光半导体芯片的构造、结构和功能对于本领域技术人员是已知的从而在该处不详细阐述。