[发明专利]发光半导体器件

权利要求书

1.一种发光半导体器件(100)，

具有：

-具有主表面(10)的发光半导体芯片(1)，所述主表面具有辐射耦合输出面，经由所述辐射耦合输出面在运行中放射在第一波长范围内的第一光(91)；

-在所述主表面的第一子区域(11)上的波长转换层(2)，所述波长转换层用于将所述第一光的至少一部分转换为在与所述第一波长范围不同的第二波长范围内的第二光(92)；和

-直接在所述主表面的与所述第一子区域相邻的第二子区域(12)上的光学反馈元件(3)，

其中所述光学反馈元件将由所述第二子区域放射的第一光朝所述辐射耦合输出面的方向和/或朝所述波长转换层的方向转向，

其中所述光学反馈元件具有梯度光学装置或反射光学元件，其中所述反射光学元件具有反射层(31)，所述反射层相对于所述主表面的面法线倾斜和/或所述反射层是弯曲的。

2.根据上一项权利要求所述的半导体器件，

其中所述第二子区域是所述主表面的边缘区域。

3.根据上述权利要求中任一项所述的半导体器件，

其中所述第二子区域完全地包围所述第一子区域。

4.根据上述权利要求中任一项所述的半导体器件，

其中所述第一子区域和所述第二子区域形成所述主表面。

5.根据上述权利要求中任一项所述的半导体器件，

其中所述波长转换层直接施加在所述主表面的所述第一子区域上。

6.根据上述权利要求中任一项所述的半导体器件，

其中所述波长转换层横向地直接邻接于所述光学反馈元件。

7.根据上述权利要求中任一项所述的半导体器件，

其中所述反射光学元件具有透明材料(33)，在所述透明材料上施加有所述反射层。

8.根据上述权利要求中任一项所述的半导体器件，

其中所述主表面具有小于或等于2mm²的面积。

9.根据上述权利要求中任一项所述的半导体器件，

其中所述波长转换层和所述光学反馈元件横向地不伸出所述主表面。