[发明专利]图案形成方法、晶体管的制造方法和图案形成用部件

权利要求书

1.一种图案形成方法，其是在对象物的被处理面上形成图案的图案形成方法，其包括下述工序：

第1层形成工序，在所述被处理面上形成第1层，该第1层包含具有能够用酸分解、并且还能够用光分解的保护基团的化合物，

第2层形成工序，在所述第1层上形成包含通过曝光而产生酸的光产酸剂的第2层，

曝光工序，对所述第1层和所述第2层进行曝光，在所述第1层上形成由曝光区域和未曝光区域构成的潜像，以及

配置工序，将图案形成材料配置在所述曝光区域或所述未曝光区域，

所述化合物为下述通式(1)所表示的含氟化合物，

[化1]

通式(1)中，X表示卤原子或烷氧基，R¹表示氢原子或者碳原子数为1～10的直链状、支链状或环状的烷基，R^f1、R^f2各自独立地为烷氧基、硅氧基或氟代烷氧基，n表示0以上的整数。

2.如权利要求1所述的图案形成方法，其中，与所述未曝光区域相比，所述曝光区域相对具有亲水性。

3.如权利要求1或2所述的图案形成方法，其中，所述图案为电子器件用的电路图案。

4.如权利要求1或2所述的图案形成方法，其中，在所述曝光工序中，隔着所述第2层对所述第1层进行曝光。

5.如权利要求1或2所述的图案形成方法，其中，在所述曝光工序中，隔着所述第1层对所述第2层进行曝光。

6.如权利要求1或2所述的图案形成方法，其中，在所述配置工序中，将图案形成材料配置在所述曝光区域。

7.如权利要求1或2所述的图案形成方法，其中，所述化合物中，通过所述保护基团被分解而生成氨基。

8.如权利要求1或2所述的图案形成方法，其中，所述图案形成材料包含液态导电材料、液态半导体材料或液态绝缘材料。

9.如权利要求1或2所述的图案形成方法，其中，所述曝光的光包含波长处于200nm～450nm的范围的光。

10.如权利要求1或2所述的图案形成方法，其中，所述对象物为由树脂材料形成的基板。

11.如权利要求1或2所述的图案形成方法，其中，所述对象物为具有挠性的基板。

12.一种晶体管的制造方法，其是具有栅电极、源电极以及漏电极的晶体管的制造方法，其包括利用权利要求1～11中任一项所述的图案形成方法形成所述栅电极、所述源电极、所述漏电极中的至少1种电极的工序。

13.一种图案形成方法，其是在对象物的被处理面上形成图案的图案形成方法，其包括下述工序：

第1层形成工序，在所述被处理面上形成第1层，该第1层包含具有能够用酸分解、并且还能够用光分解的保护基团的化合物，

第2层形成工序，在所述第1层上形成包含通过曝光而产生酸的光产酸剂的第2层，

曝光工序，对所述第1层和所述第2层进行曝光，在所述第1层上形成由曝光区域和未曝光区域构成的潜像，以及

化学镀覆工序，将化学镀覆用催化剂配置在所述曝光区域或未曝光区域，进行化学镀覆，

所述化合物为下述通式(1)所表示的含氟化合物，

[化2]

通式(1)中，X表示卤原子或烷氧基，R¹表示氢原子或者碳原子数为1～10的直链状、支链状或环状的烷基，R^f1、R^f2各自独立地为烷氧基、硅氧基或氟代烷氧基，n表示0以上的整数。

14.如权利要求13所述的图案形成方法，其中，与所述未曝光区域相比，所述曝光区域相对具有亲水性。