[发明专利]功率放大器电路

说明书

本公开提供了包括一个或多个放大器级的放大器电路，一个或多个放大器级中的每一个放大器级均包括互补晶体管配置。互补晶体管配置包括NMOS晶体管(436)和PMOS晶体管(440)。NMOS晶体管(436)并联电耦合到PMOS晶体管(440)。放大器电路进一步包括输出放大器级，其被电耦合到一个或多个放大器级的输出，输出放大器级包括非互补晶体管配置，其具有一个或多个NMOS晶体管(452)或PMOS晶体管。

根据35 U.S.C.§119要求优先权

本专利申请要求于2018年12月3日提交的题为“POWER AMPLIFIER CIRCUIT”的非临时申请号16/208,398、以及于2017年12月5日提交的题为“MODIFIED INVERTING POWERAMPLIFIER”的临时申请号62/595,029的优先权，这两个申请已转让给本文的受让人，并且以其整体通过引用明确并入于此。

技术领域

本公开总体上涉及放大器电路，并且具体地涉及可以具有期望特性的放大器电路，以用于在较高频率(例如，毫米波)的无线通信应用中使用。

背景技术

无线通信系统被广泛地部署来提供各种类型的通信内容(例如，语音、视频、分组数据、消息收发、广播等)。这些系统可以通过共享可用的系统资源(例如，时间、频率和功率)来支持与多个用户的通信。这样的多址系统的示例包括码分多址(CDMA)系统、时分多址(TDMA)系统、频分多址(FDMA)系统和正交频分多址(OFDMA)系统(例如，长期演进(LTE)系统或新无线电(NR)系统)。无线多址通信系统可以包括多个基站或接入网络节点，每个基站或接入网络节点同时支持用于多个通信设备的通信，通信设备可以被称为用户设备(UE)。

无线通信设备(例如，UE或基站)包括一个或多个功率放大器。具有高线性度、高效率、宽带宽、低供应电压的用于无线通信应用的功率放大器电路拓扑是期望的，特别是在毫米波范围内的频率。

发明内容

在本公开的一个方面中，提供了反相放大器电路。反相放大器电路包括电连接到第一供应电压的第一电感性阻抗元件。反相放大器电路还包括N沟道金属氧化物半导体(NMOS)晶体管，NMOS晶体管具有电连接到输入节点的NMOS栅极端子、通过第一电感性阻抗元件而被电连接到第一供应电压的NMOS漏极端子、以及被电连接到第一接地的NMOS源极端子，该输入节点被配置为接收输入信号。反相放大器电路还包括电连接到第二接地的第二电感性阻抗元件。反相放大器电路还包括P沟道金属氧化物半导体(PMOS)晶体管，PMOS晶体管具有电连接到输入节点的PMOS栅极端子、通过第二电感性阻抗元件而被电连接到第二接地的PMOS漏极端子、以及电连接到第二供应电压的PMOS源极端子，该输入节点被配置为接收输入信号。反相放大器电路还包括一个或多个电抗元件，其电连接到被配置为提供输出信号的输出节点。NMOS漏极端子和PMOS漏极端子通过一个或多个电抗元件而被电连接到输出节点。

在本公开的另一方面，提供了反相放大器电路。反相放大器电路包括单端NMOS晶体管电路，单端NMOS晶体管电路具有连接至输入节点的栅极端子、连接到接地的源极端子、以及通过第一电感性阻抗元件连接至供应电压的漏极端子，该输入节点被配置为接收输入信号。反相放大器电路还包括单端PMOS晶体管电路，其具有连接到输入节点的栅极端子、连接到供应电压的源极端子、以及通过第二电感性阻抗元件而被连接到接地的漏极端子，信号端NMOS晶体管电路并联电连接到单端PMOS晶体管电路，以通过一个或多个电抗组件来提供共同输出信号。