[发明专利]液供给装置和液供给方法有效
申请号: | 201880078002.9 | 申请日: | 2018-12-07 |
公开(公告)号: | CN111433888B | 公开(公告)日: | 2023-09-26 |
发明(设计)人: | 内藤亮一郎;林圣人;志手英男;井手裕幸;龟田洋介;户塚诚也;舞田集;佐藤尊三;荒木洋史;吉原健太郎 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
主分类号: | H01L21/027 | 分类号: | H01L21/027;B05C5/00;B05C11/00;G03F7/26 |
代理公司: | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人: | 龙淳;刘芃茜 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 供给 装置 方法 | ||
本发明提供液供给装置和液供给方法。液供给装置对处理液释放部供给处理液,该处理液释放部向被处理体释放处理液,该液供给装置包括:与处理液释放部连接的供给管路;插入于供给管路的过滤处理液以除去异物的过滤器;和控制部,其构成为能够判断向过滤器的一次侧供给的处理液的状态,并且在判断为处理液的状态不良时,输出限制向过滤器的一次侧供给该处理液的控制信号。
技术领域
(关联申请的相互参照)
本申请基于2017年12月12日在日本提出的特愿2017-237555号,和2018年12月4日在日本提出的特愿2018-227332号主张优先权,将其内容引用到此文中。
本发明涉及液供给装置和液供给方法。
背景技术
在专利文献1中,公开了一种液处理装置,其包括:贮存处理液的处理液容器;向被处理基片释放处理液的释放嘴;将处理液容器与释放嘴连接的供给管路;和插入于供给管路的过滤处理液的过滤器。该装置中,将通过过滤器的处理液的一部分从释放嘴释放,使剩余的处理液返回过滤器的一次侧的供给管路,与来自处理液容器的处理液合在一起,进行处理液的释放和用过滤器实施的过滤。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:日本国2014-140029号公报
发明内容
发明要解决的技术问题
本发明的技术能够供给适于制造微小的半导体器件的清洁度的处理液。
用于解决技术问题的技术方案
本发明的一个方式是一种对处理液释放部供给处理液的液供给装置,该处理液释放部对被处理体释放处理液,该液供给装置包括:与上述处理液释放部连接的供给管路;插入于上述供给管路的过滤上述处理液以除去异物的过滤器;和控制部,其构成为能够判断向上述过滤器的一次侧供给的处理液的状态,并且在判断为上述处理液的状态不良时,输出限制向上述过滤器的一次侧供给该处理液的控制信号。
发明效果
依照本发明,能够供给适于制造微小的半导体器件的清洁度的处理液。
附图说明
图1是表示本实施方式的基片处理系统的结构的概要的平面图。
图2是表示本实施方式的基片处理系统的结构的概要的正面图。
图3是表示本实施方式的基片处理系统的结构的概要的背面图。
图4是表示抗蚀剂涂敷装置的结构的概要的纵截面图。
图5是表示抗蚀剂涂敷装置的结构的概要的横截面图。
图6是表示第1实施方式的抗蚀剂液供给装置的结构的概要的说明图。
图7表示用于说明抗蚀剂液供给装置的结构的概要的配管系统,是对缓冲箱的补充工序的说明图。
图8表示用于说明抗蚀剂液供给装置的结构的概要的配管系统,是对泵的补充工序的说明图。
图9表示用于说明抗蚀剂液供给装置的结构的概要的配管系统,是释放工序的说明图。
图10表示用于说明抗蚀剂液供给装置的结构的概要的配管系统,是泵排放(pumpvent)工序的说明图。
图11表示用于说明抗蚀剂液供给装置的结构的概要的配管系统,是泵排放工序的另一说明图。
图12表示用于说明抗蚀剂液供给装置的结构的概要的配管系统,是泵排放工序的另一说明图。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造