[发明专利]线锯装置及晶圆的制造方法有效
申请号: | 201880077941.1 | 申请日: | 2018-11-01 |
公开(公告)号: | CN111418045B | 公开(公告)日: | 2023-08-15 |
发明(设计)人: | 水岛一寿;大高敏昭;榎本辰男;清水裕一 | 申请(专利权)人: | 信越半导体株式会社 |
主分类号: | H01L21/304 | 分类号: | H01L21/304;B24B27/06;B28D5/04 |
代理公司: | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人: | 张晶;敖莲 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 装置 制造 方法 | ||
本发明提供一种线锯装置,其具备:多个金属线引导部;金属线列,由卷绕于所述多个金属线引导部并沿轴向往返移动的金属线形成;喷嘴,向所述金属线供给冷却剂或浆料;工件保持部,将经由梁而粘接有工件的工件板悬挂并保持;以及工件进给机构,将所述工件按压至所述金属线列,其特征在于,还具备对形成所述金属线列的所述多个金属线引导部的轴的平行度进行调整的机构。由此,提供对切断后的工件的金属线移动方向的翘曲进行控制,并能够制造具有任意的翘曲形状的晶圆的线锯装置及晶圆的制造方法。
技术领域
本发明涉及一种线锯装置及晶圆的制造方法。
背景技术
硅晶圆等半导体晶圆通过如图8所示的线锯装置101等切断装置而从硅锭等的工件切出。一般而言,线锯装置101包括金属线列104,该金属线列104由卷绕于多个金属线引导部103且沿轴向往返移动的金属线102形成。进一步,线锯装置101包括向金属线102供给浆料109的喷嘴108、将经由梁105而粘接有工件W的工件板106悬挂并保持的工件保持部107以及将工件W相对地按下并按压至金属线列104的工件进给机构110。通过这样的线锯装置101,能够将工件W按压至金属线列104并将工件W切割成晶圆状。
此外,在切断后的工件中会因为线锯进行的切割而产生翘曲。该因线锯切割而产生的翘曲取决于切断中的工件(锭)与金属线的相对位置的经时变化。一般认为,由于从开始切至切完为止的切断中的锭及卷绕有金属线的主滚筒的热膨胀、装置壳体的热变形的影响而形成切断方向的翘曲。因此,公开有通过控制主滚筒主轴冷却水及浆料温度,从而能够改善切断方向的翘曲的方案(专利文献1~3)
现有技术文献
专利文献
专利文献1:日本特开平7-1442号公报
专利文献2:日本特开2009-29078号公报
专利文献3:日本特开2016-135529号公报
发明内容
(一)要解决的技术问题
最尖端产品装置中,使用向低电阻基底晶圆施加磊晶成长的磊晶晶圆,但是由于基底晶圆与磊晶层的电阻率的不同,造成磊晶成长后晶圆呈凸状变化,且翘曲恶化。如图9所示,基底晶圆的Bow值与磊晶后的翘曲具有相关,可以看出Bow越为负的晶圆,具有磊晶后的翘曲变好的趋势。因此,如果能够朝凹陷方向控制线锯切断时的切断方向及移动方向,则磊晶后的翘曲便会被改善,但是专利文献1~3涉及从切断开始至结束的切断方向翘曲的控制,没有确定关于金属线移动方向翘曲的控制的方法。
本发明鉴于上述课题而做出,其目的在于提供一种对由线锯装置进行切断后的工件的金属线移动方向的翘曲进行控制,且能够制造具有任意的翘曲形状的晶圆的线锯装置及晶圆的制造方法
(二)技术方案
为实现上述课题,本发明提供一种线锯装置,其具备:多个金属线引导部;金属线列,由卷绕于所述多个金属线引导部并沿轴向往返移动的金属线形成;喷嘴,向所述金属线供给冷却剂或浆料;工件保持部,将经由梁而粘接有工件的工件板悬挂并保持;以及工件进给机构,将所述工件按压至所述金属线列,其中,还具备对形成所述金属线列的所述多个金属线引导部的轴的平行度进行调整的机构。
如果是这样的线锯装置,则对切断后的工件的金属线移动方向的翘曲进行控制,并能够制造具有任意的翘曲形状的晶圆。
此外,本发明提供一种晶圆的制造方法,其特征在于,使用上述线锯装置,通过对形成所述金属线列的所述多个金属线引导部的轴的平行度进行调整并切断工件,从而控制切断后的工件的金属线移动方向的翘曲。
这样,本发明的线锯装置能够良好地适用于对切断后的工件的金属线移动方向翘曲的凹凸进行控制的晶圆的制造方法。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造