[发明专利]谐振子和谐振装置

说明书

在并联连接的压电谐振子中，抑制由杂散电容引起的特性降低。具备：基板；绝缘膜，其形成在基板上；多个振动区域，其为形成在绝缘膜上的多个振动区域，且各振动区域具有形成在绝缘膜上的下部电极、形成在下部电极上的压电膜和形成在压电膜上的上部电极，使形成在绝缘膜上的多个下部电极中的至少一个下部电极成为与其他下部电极不同的电位，以使得至少一个振动区域与其他振动区域反相振动；以及封装，其为对具有基板、绝缘膜、多个振动区域的谐振子进行密封的封装，且具有使基板接地的接地用端子。

技术领域

本发明涉及谐振子和谐振装置。

背景技术

以往，使用了MEMS(Micro Electro Mechanical Systems)技术的压电谐振装置例如被作为定时设备使用。该压电谐振装置在装入智能手机等电子设备内的印刷基板上安装。

伴随着电子设备的小型化，针对上述的压电谐振装置的振动面积，也谋求小型化。若振动面积变小，则谐振电阻增加，由此导致振荡余量降低。因此，为了在较少的振动面积下，也确保电容，正在研究将振动区域的连接方式从串联连接向并联连接变更。

例如，专利文献1公开有并联连接结构的电连接的一个例子。专利文献1所述的MEMS振子1800具有硅层1810、绝缘层1811和振动臂1812、1813。振动臂1812具有上部电极1820、下部电极1821和压电层1822。同样，振动臂1813具有上部电极1830、下部电极1831和压电层1832。而且，控制各电极的电位，使施加于振动臂1812的电场与施加于振动臂1813的电场的朝向成为相反方向。在这样的并联连接结构中，MEMS振子1800的合成电容Cf成为振动臂1812的静电电容Ca1与振动臂1813的静电电容Ca2之和(Cf＝Ca1+Ca2)。因此，具有能够使合成电容Cf变大这样的优点。

专利文献1:国际公开第2015/111503号

然而，在专利文献1所述的并联连接结构中，振动臂1812的下部电极1821的电位与振动臂1813的下部电极1831的电位不同。由于硅层1810电阻率低，所以若将下部电极1821、1831直接配设在硅层1810上，则导致成为短路状态。因此，在下部电极1821、1831与硅层1810之间设置有绝缘层1811。因此，产生由下部电极1821与硅层1810之间的杂散电容Cb1和下部电极1831与硅层1810之间的杂散电容Cb2引起的杂散电容Cs(＝1/(1/Cb1+1/Cb2))，存在导致特性降低的情况。

发明内容

本发明是鉴于这样的状况而完成的，目的在于在并联连接的压电谐振子中抑制由杂散电容引起的特性降低。

本发明的一方面所涉及的谐振装置具备：基板；绝缘膜，其形成在基板上；多个振动区域，其为形成在绝缘膜上的多个振动区域，且各振动区域具有形成在绝缘膜上的下部电极、形成在下部电极上的压电膜和形成在压电膜上的上部电极，使形成在绝缘膜上的多个下部电极中的至少一个下部电极成为与其他下部电极不同的电位，以使至少一个振动区域与其他振动区域反相振动；以及封装，其为对具有基板、绝缘膜、多个振动区域的谐振子进行密封的封装，且具有使基板接地的接地用端子。

根据本发明，提供在并联连接的压电谐振子中能够抑制由杂散电容引起的特性降低的谐振子和谐振装置。

附图说明

图1是概略地表示第1实施方式所涉及的谐振装置的外观的立体图。

图2是概略地表示第1实施方式所涉及的谐振装置的构造的分解立体图。

图3是第1实施方式所涉及的谐振子的俯视图。

图4A是图3的CC’剖视图。

图4B是图1和图3的AA’剖视图。

图5A是用于对第1实施方式所涉及的谐振装置的功能进行说明的示意图。