[发明专利]谐振子和谐振装置

权利要求书

1.一种谐振装置，其特征在于，具备：

基板；

绝缘膜，其形成在所述基板上；

多个振动区域，其为形成在所述绝缘膜上的多个振动区域，且各振动区域具有形成在所述绝缘膜上的下部电极、形成在所述下部电极上的压电膜和形成在所述压电膜上的上部电极，使形成在所述绝缘膜上的多个所述下部电极中的至少一个所述下部电极成为与其他所述下部电极不同的电位，以使得至少一个振动区域与其他振动区域反相振动；以及

封装，其为对具有所述基板、所述绝缘膜、所述多个振动区域的谐振子进行密封的封装，且具有使所述基板接地的接地用端子，

所述基板具有：

由绝缘体或者半导体构成的第1层和形成于该第1层与所述绝缘膜之间的由导电体构成的第2层，

所述接地用端子使所述第2层接地。

2.根据权利要求1所述的谐振装置，其特征在于，

所述基板是半导体基板。

3.根据权利要求1所述的谐振装置，其特征在于，

所述封装具备：与所述基板对置设置的下盖和与所述上部电极对置设置的上盖。

4.根据权利要求1～3中任一项所述的谐振装置，其特征在于，

所述谐振子具有：

具有固定端和开放端的进行弯曲振动的两个以上的振动臂；以及具有与所述振动臂的固定端连接的前端和与该前端对置的后端的基部，

所述两个以上的振动臂是所述多个振动区域。

5.根据权利要求1～3中任一项所述的谐振装置，其特征在于，

所述谐振子构成为所述压电膜对应于施加于该压电膜的电压而进行轮廓振动，

所述多个振动区域是分别具有长边和短边的矩形的形状，其中，该短边相当于所述压电膜的轮廓振动的半波长，该长边与供所述多个振动区域形成的振动部的短边平行。

6.根据权利要求1～3中任一项所述的谐振装置，其特征在于，

所述绝缘膜是导电率比所述基板的导电率低的膜。

7.根据权利要求1～3中任一项所述的谐振装置，其特征在于，

所述绝缘膜由氮化硅、氮化铝、二氧化硅、金刚石和蓝宝石中任一者构成。

8.根据权利要求1～3中任一项所述的谐振装置，其特征在于，

所述绝缘膜通过由低介电常数的材料形成的层和由高热传导率的材料形成的层以多层构成。

9.根据权利要求8所述的谐振装置，其特征在于，

所述高热传导率的材料由氮化铝、氮化硅、金刚石和蓝宝石中任一者构成。

10.一种谐振子，其特征在于，具备：

基板；

绝缘膜，其形成在所述基板上；以及

多个振动区域，其为形成在所述绝缘膜上的多个振动区域，且各振动区域具有形成在所述绝缘膜上的下部电极、形成在所述下部电极上的压电膜和形成在所述压电膜上的上部电极，使形成在所述绝缘膜上的多个所述下部电极中的至少一个所述下部电极成为与其他所述下部电极不同的电位，以使得至少一个振动区域与其他振动区域反相振动，

所述基板构成为与用于接地的接地用端子连接，

所述基板具有：

由绝缘体或者半导体构成的第1层和形成于该第1层与所述绝缘膜之间的由导电体构成的第2层，

所述接地用端子使所述第2层接地。

11.根据权利要求10所述的谐振子，其特征在于，

所述基板由半导体构成。