[发明专利]用于制造半导体封装用绝缘层的方法和使用其的半导体封装用绝缘层

权利要求书

1.一种用于制造半导体封装用绝缘层的方法，包括以下步骤：

在电路板上形成热固性树脂膜的第一步骤，所述热固性树脂膜包含可热固化的粘结剂树脂、热固化催化剂和30重量％至90重量％的金属接枝多孔结构；以及

使所述热固性树脂膜热固化的第二步骤，

其中在所述第一步骤和所述第二步骤中的至少一者中，向所述热固性树脂膜施加0.1T至1T的磁场，

其中在向所述热固性树脂膜施加0.1T至1T的磁场之后，所述热固性树脂膜中包含的孔的平均直径减小至1μm或更小。

2.根据权利要求1所述的用于制造半导体封装用绝缘层的方法，其中，当向所述热固性树脂膜施加0.1T至1T的磁场时，所述热固性树脂膜中包含的所述金属接枝多孔结构的通过VSM测量的磁矩/质量测量值为0.6emu/g至2.0emu/g。

3.根据权利要求1所述的用于制造半导体封装用绝缘层的方法，其中所述热固性树脂膜还包含平均直径为1.2μm或更大的孔。

4.根据权利要求1所述的用于制造半导体封装用绝缘层的方法，其中所述金属接枝多孔结构是其中将金属接枝到包含硅酸盐的分子筛的结构。

5.根据权利要求4所述的用于制造半导体封装用绝缘层的方法，其中所述包含硅酸盐的分子筛包括选自沸石和其中均匀形成有细孔的二氧化硅分子筛的一者或更多者。

6.根据权利要求5所述的用于制造半导体封装用绝缘层的方法，其中所述沸石为选自丝光沸石、镁碱沸石、ZSM-5、β-沸石、Ga-硅酸盐、Ti-硅酸盐、Fe-硅酸盐和Mn-硅酸盐的一者或更多者。

7.根据权利要求5所述的用于制造半导体封装用绝缘层的方法，其中所述其中均匀形成有细孔的二氧化硅分子筛包括选自MCM-22、MCM-41和MCM-48的一者或更多者。

8.根据权利要求4所述的用于制造半导体封装用绝缘层的方法，其中所述金属为选自镍、铜、铁和铝的一者或更多者。

9.根据权利要求1所述的用于制造半导体封装用绝缘层的方法，其中所述金属接枝多孔结构包括其中将金属接枝到其中均匀形成有直径为1nm至30nm的细孔的二氧化硅分子筛的结构。

10.根据权利要求1所述的用于制造半导体封装用绝缘层的方法，其中所述金属接枝多孔结构为选自Ni/MCM-41、Fe/MCM-41和Cu/MCM-41的一者或更多者。

11.根据权利要求1所述的用于制造半导体封装用绝缘层的方法，其中所述金属接枝多孔结构的颗粒直径为1μm或更小。

12.根据权利要求1所述的用于制造半导体封装用绝缘层的方法，其中所述热固性树脂膜包含1重量％至65重量％的所述可热固化的粘结剂树脂、0.1重量％至20重量％的所述热固化催化剂和30重量％至90重量％的所述金属接枝多孔结构。

13.一种半导体封装用绝缘层，包含热固性树脂膜的固化产物，所述热固性树脂膜包含可热固化的粘结剂树脂、热固化催化剂和30重量％至90重量％的金属接枝多孔结构，其中所述热固性树脂膜的固化产物中包含的孔的平均直径为1.0μm或更小。

14.一种半导体封装，包括根据权利要求13所述的半导体封装用绝缘层。