[发明专利]磁传感器、测量装置及磁传感器的制造方法

说明书

磁传感器1具备：薄膜磁铁20，其由硬磁体层103构成，且在面内方向上具有磁各向异性；和感应部30，其具备通过磁阻抗效应来感应磁场的感应元件31，所述感应元件31由在硬磁体层103上层叠设置的软磁体层105构成，具有长边方向和短边方向，长边方向朝向薄膜磁铁20产生的磁场的方向，并且在与长边方向交叉的方向上具有单轴磁各向异性，薄膜磁铁20和感应元件31被设置为：与和薄膜磁铁20的一个磁极呈对向地设置于外部的对向构件构成磁路。

技术领域

本发明涉及磁传感器、测量装置及磁传感器的制造方法。

背景技术

作为公报中记载的现有技术，存在下述磁阻抗效应元件，其具备在非磁性基板上形成的薄膜磁铁(其由硬磁体膜形成)、覆盖前述薄膜磁铁上方的绝缘层、在前述绝缘层上形成的被赋予了单轴各向异性的感磁部(其由一个或多个长方形形状的软磁体膜形成)、和将前述感磁部的多个软磁体膜电连接的导体膜，在前述感磁部的长边方向上，前述薄膜磁铁的两端部位于前述感磁部的两端部的外侧，前述绝缘层在前述薄膜磁铁的各个端部上具有开口部，在前述绝缘层上，在前述薄膜磁铁与前述感磁部之间形成磁路的磁轭部(其由软磁体膜形成)介由前述绝缘层的开口部在从前述薄膜磁铁的端部至前述感磁部的端部附近的范围内形成(参见专利文献1)。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2008-249406号公报

发明内容

发明要解决的问题

另外，磁传感器有时和与磁传感器呈对向地设置、并相对于磁传感器进行相对移动的对向构件组合，被用于根据对向构件的相对移动量来测量位置、角度等。这样的情况下，使用利用了磁阻抗效应(magneto-impedance effect)的传感器时，与利用了霍尔效应(Hall effect)、磁阻效应(magneto-resistive effect)的传感器等相比，能够以高灵敏度测量对向构件的相对移动量。

本发明提供与薄膜磁铁不包含在与对向构件形成的磁路中的情况相比、容易测量进行相对移动的对向构件的移动量的利用了磁阻抗效应的磁传感器等。

用于解决问题的方案

应用了本发明的磁传感器的特征在于，具备：薄膜磁铁，其由硬磁体层构成，且在面内方向上具有磁各向异性；和感应部，其具备通过磁阻抗效应来感应磁场的感应元件，所述感应元件由在硬磁体层上层叠设置的软磁体层构成，具有长边方向和短边方向，长边方向朝向薄膜磁铁产生的磁场的方向，并且在与长边方向交叉的方向上具有单轴磁各向异性，薄膜磁铁和感应元件被设置为：与和薄膜磁铁的一个磁极呈对向地设置于外部的对向构件构成磁路。

这样的磁传感器的特征可以在于，薄膜磁铁中，与对向构件呈对向的磁极对对向构件呈现为磁暴露。

通过这种方式，由磁传感器的薄膜磁铁和感应元件和对向构件能够容易地构成磁路。

另外，这样的磁传感器的特征可以在于，感应部的感应元件由夹持反磁场抑制层而经反铁磁性耦合的多个软磁体层构成，所述反磁场抑制层由Ru或Ru合金构成。

通过这种方式，感应元件的灵敏度提高。

另外，从其他观点来看时，应用了本发明的测量装置的特征在于，具备磁传感器和对向构件，所述磁传感器具备薄膜磁铁和感应部，所述薄膜磁铁由硬磁体层构成，且在面内方向上具有磁各向异性，所述感应部具备通过磁阻抗效应来感应磁场的感应元件，所述感应元件由在硬磁体层上层叠设置的软磁体层构成，具有长边方向和短边方向，长边方向朝向薄膜磁铁产生的磁场的方向，并且在与长边方向交叉的方向上具有单轴磁各向异性，所述对向构件与磁传感器的薄膜磁铁的一个磁极呈对向地设置，在其与薄膜磁铁及感应元件之间构成磁路，利用感应元件，对对向构件相对于磁传感器的相对移动而产生的磁场变化进行测量。