[发明专利]磁传感器、测量装置及磁传感器的制造方法

权利要求书

1.磁传感器，其特征在于，具备：

薄膜磁铁，所述薄膜磁铁由硬磁体层构成，且在面内方向上具有磁各向异性；和

感应部，所述感应部具备通过磁阻抗效应来感应磁场的感应元件，所述感应元件由在所述硬磁体层上层叠设置的软磁体层构成，具有长边方向和短边方向，所述长边方向朝向所述薄膜磁铁产生的磁场的方向，并且在与所述长边方向交叉的方向上具有单轴磁各向异性，

所述薄膜磁铁和所述感应元件被设置为：与和所述薄膜磁铁的一个磁极呈对向地设置于外部的对向构件构成磁路，

所述薄膜磁铁中，与所述对向构件呈对向的磁极对所述对向构件呈现为磁暴露，

所述感应部的所述感应元件由夹持反磁场抑制层而经反铁磁性耦合的多个软磁体层构成，所述反磁场抑制层由Ru或Ru合金构成，

在非磁性的基板与所述硬磁体层之间形成有将所述硬磁体层的磁各向异性控制在面内方向的控制层。

2.测量装置，其特征在于，具备磁传感器和对向构件，

所述磁传感器具备薄膜磁铁和感应部，所述薄膜磁铁由硬磁体层构成，且在面内方向上具有磁各向异性，所述感应部具备通过磁阻抗效应来感应磁场的感应元件，所述感应元件由在所述硬磁体层上层叠设置的软磁体层构成，具有长边方向和短边方向，所述长边方向朝向所述薄膜磁铁产生的磁场的方向，并且在与所述长边方向交叉的方向上具有单轴磁各向异性，

所述对向构件与所述磁传感器的所述薄膜磁铁的一个磁极呈对向地设置，在其与所述薄膜磁铁及所述感应元件之间构成磁路，

所述薄膜磁铁中，与所述对向构件呈对向的磁极对所述对向构件呈现为磁暴露，所述感应部的所述感应元件由夹持反磁场抑制层而经反铁磁性耦合的多个软磁体层构成，所述反磁场抑制层由Ru或Ru合金构成，

在非磁性的基板与所述硬磁体层之间形成有将所述硬磁体层的磁各向异性控制在面内方向的控制层，

所述测量装置利用所述感应元件，对所述对向构件相对于所述磁传感器的相对移动而产生的磁场变化进行测量。

3.磁传感器的制造方法，其包括下述工序：

硬磁体层形成工序，在非磁性的基板上形成硬磁体层，所述硬磁体层构成磁各向异性被控制在面内方向的薄膜磁铁；

感应部形成工序，在所述硬磁体层上层叠软磁体层而形成感应部，所述感应部包含在与所述薄膜磁铁产生的磁场的方向交叉的方向上具有单轴磁各向异性、通过磁阻抗效应来感应磁场的感应元件；和

薄膜磁铁加工工序，相对于和所述薄膜磁铁的一个磁极呈对向地设置于外部的对向构件，以所述薄膜磁铁的一个磁极对所述对向构件呈现为磁暴露的方式将所述硬磁体层加工成所述薄膜磁铁，

还包括下述控制层形成工序：在非磁性的基板与所述硬磁体层之间形成将所述硬磁体层的磁各向异性控制在面内方向的控制层。