[发明专利]半导体工艺片及半导体封装体制造方法

权利要求书

1.一种半导体工艺片，其具备：

双面粘合片，该双面粘合片具有至少包含粘合力降低型粘合剂层、粘合剂层、及位于它们之间的基材的层叠结构，并且具有第1粘合面及与第1粘合面相对的第2粘合面；和

部分密封剂层，该部分密封剂层以可剥离的方式密合于所述双面粘合片的所述第2粘合面上。

2.根据权利要求1所述的半导体工艺片，其中，所述部分密封剂层为芯片电极包埋用粘接剂层。

3.根据权利要求2所述的半导体工艺片，其中，所述芯片电极包埋用粘接剂层的厚度相对于包埋对象芯片电极的高度的比值为0.1～10。

4.根据权利要求1～3中任一项所述的半导体工艺片，其中，所述部分密封剂层具有1～300μm的厚度。

5.根据权利要求1～4中任一项所述的半导体工艺片，其中，所述粘合力降低型粘合剂层为加热发泡型粘合剂层或辐射线固化性粘合剂层。

6.根据权利要求1～5中任一项所述的半导体工艺片，其中，所述粘合力降低型粘合剂层在所述层叠结构中比所述基材更靠近所述第1粘合面侧，

所述粘合剂层在所述层叠结构中比所述基材更靠近所述第2粘合面侧。

7.根据权利要求1～6中任一项所述的半导体工艺片，其中，所述双面粘合片的所述第1粘合面在23℃、剥离角度180°及拉伸速度300mm/分钟的条件下的剥离试验中对不锈钢平面表现出的剥离粘合力相对于所述双面粘合片的所述第2粘合面与所述部分密封剂层之间的、在23℃、剥离角度180°及拉伸速度300mm/分钟的条件下的剥离试验中的剥离粘合力的比值为0.003～3。

8.一种半导体封装体制造方法，其为用于使用权利要求1～7中任一项所述的半导体工艺片来制造半导体封装体的方法，所述制造方法包括：

芯片安装工序，对所述第1粘合面侧贴合于支撑体的所述半导体工艺片中的所述部分密封剂层安装多个半导体芯片；

密封工序，在所述半导体工艺片上以包埋所述多个半导体芯片的方式供给密封剂，使该密封剂及所述部分密封剂层固化，形成密封材料部；

分离工序，包括使所述密封材料部与所述第2粘合面之间分隔；

布线形成工序，在所述密封材料部上形成包含每个所述半导体芯片的布线的布线结构部；和

单片化工序，将所述密封材料部及所述布线结构部按每个所述半导体芯片进行分割，得到半导体封装体。

9.一种半导体封装体制造方法，其为用于使用权利要求1～7中任一项所述的半导体工艺片来制造半导体封装体的方法，所述制造方法包括：

芯片安装工序，对所述第1粘合面侧贴合于支撑体的所述半导体工艺片中的所述部分密封剂层安装多个半导体芯片；

固化工序，使所述部分密封剂层固化；

密封工序，在所述半导体工艺片上以包埋所述多个半导体芯片的方式供给密封剂，在已固化的部分密封剂层上使该密封剂固化，形成密封材料部；

分离工序，包括使所述密封材料部与所述第2粘合面之间分隔；

布线形成工序，在所述密封材料部上形成包含每个所述半导体芯片的布线的布线结构部；和

单片化工序，将所述密封材料部及所述布线结构部按每个所述半导体芯片进行分割，得到半导体封装体。

10.根据权利要求8或9所述的半导体封装体制造方法，其中，所述半导体芯片具有：芯片主体、和从该芯片主体延伸出的至少一个芯片电极，

所述芯片安装工序中，以所述芯片电极进入所述部分密封剂层的方式对该部分密封剂层安装各半导体芯片。

11.根据权利要求10所述的半导体封装体制造方法，其中，所述芯片安装工序中，以所述芯片电极进入所述部分密封剂层并且到达所述第2粘合面的方式对所述部分密封剂层安装各半导体芯片。