[发明专利]清洁极紫外光源的腔室内的光学器件的表面

说明书

描述了一种清洁极紫外(EUV)光源(100)的腔室(125)内的光学器件(115)的表面的方法。腔室被保持在大气压以下的压力处。该方法包括在邻近光学器件表面(110)并且在腔室内的位置处生成处于等离子态的材料，生成包括将已经存在于真空腔室内并且邻近光学器件表面的天然材料(135)从第一状态转变成等离子态(130)。材料的等离子态包括材料的自由基。处于等离子态的材料通过如下被生成：使得处于等离子态的材料能够经过光学器件表面，以在不从EUV光源移除光学器件的情况下从光学器件表面移除碎屑(107)。

相关申请的交叉引用

本申请要求于2017年11月2日提交的美国专利62/580,827的优先权，并且通过引用将其整体并入本文中。

技术领域

所公开的技术方案涉及一种用于清洁极紫外光源的腔室内的光学器件的表面的系统和方法。

背景技术

极紫外(EUV)光，例如具有大约50nm或更少的波长(有时还称为软x射线)并且包括在大约13nm的波长处的光的电磁辐射可以在光刻过程中被使用，以在衬底(例如硅晶片)中产生极小特征。

产生EUV光的方法包括但不一定限于将含有具有在EUV范围内的发射线的元素(例如，氙、锂或锡)的材料转变成等离子态。在一个这样的方法中，通常被命名为激光器产生的等离子(“LPP”)的所要求的等离子可以通过利用放大的光束辐照目标材料来产生，目标材料例如以材料的微滴、板、带、流或簇的形式。对于该过程，等离子通常被产生在密封容器(例如，真空腔室)中，并且使用各种类型的量测装置来监测。

发明内容

在一些一般方面中，使用了一种清洁极紫外(EUV)光源的腔室内的光学器件的表面的方法。腔室被保持在大气压以下的压力处。该方法包括在邻近光学器件表面并且在腔室内的位置处生成处于等离子态的材料。生成包括将已经存在于真空腔室内并且邻近光学器件表面的天然材料从第一状态转变成等离子态。材料的等离子态包括材料的自由基。处于等离子态的材料至少通过如下被生成：使得处于等离子态的材料能够经过光学器件表面，以在不从EUV光源移除光学器件的情况下从光学器件表面移除碎屑。

实施方式可以包括以下特征中的一个或多个特征。例如，处于等离子态的材料可以通过在腔室内邻近光学器件表面的位置处电磁感应电流来生成。在腔室内邻近光学器件表面的位置处的电流可以通过在腔室内在光学器件附近产生时间变化的磁场来感应。在腔室内的时间变化的磁场可以通过使时间变化的电流流过被放置在光学器件表面的周界外部的电导体来产生。

可以使得处于等离子态的材料能够经过光学器件表面以在不存在氧气的情况下从光学器件表面移除碎屑。

处于等离子态的材料可以至少包括离子、电子、以及氢的自由基。

可以通过使材料的自由基与光学器件表面上的碎屑起化学反应以形成从光学器件表面释放的化学物来从光学器件表面移除碎屑。方法还可以包括从EUV腔室移除所释放的化学物。自由基可以是氢的自由基，并且光学器件表面上的碎屑可以包括锡，使得从光学器件表面释放的化学物包括氢化锡。

可以通过在整个光学器件表面上以至少每分钟1纳米的速率从光学器件表面蚀刻碎屑来从光学器件表面移除碎屑。