[发明专利]功能性微电子装置的产出的提高在审
申请号: | 201880070921.1 | 申请日: | 2018-11-02 |
公开(公告)号: | CN111316412A | 公开(公告)日: | 2020-06-19 |
发明(设计)人: | 卡洛斯·丰塞卡;纳森·伊普;乔尔·埃斯特雷拉 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66;H01L21/67 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 康建峰;杨林森 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 功能 微电子 装置 产出 提高 | ||
本文描述了与半导体制造过程有关的技术,该技术促进了制造的半导体晶圆的图案的系统合格度的提高。具有最大化的系统合格度的图案的半导体晶圆将使形成为制造的半导体晶圆的一部分的电子装置的电气性质和/或功能最大化。在理解摘要将不用于解释或限定权利要求的范围或含义的情况下提交了本摘要。
相关申请
本申请要求于2017年11月3日提交的题为“Enhancement of Yield ofFunctional Microelectronic Devices”的美国临时专利申请第62/581,535号的权益,该美国临时专利申请通过引用整体合并入本文。此外,本申请要求于2018年10月31日提交的题为“Active Process Modeling”的美国临时专利申请第62/753,153号的权益,该美国临时专利申请通过引用整体合并入本文。此外,本申请要求于2018年10月31日提交的题为“Transfer Function and Process Modeling for The Fabrication OfMicroelectronic Devices”的美国临时专利申请第62/753,155号的权益,该美国临时专利申请通过引用整体合并入本文。
背景技术
微电子装置是微米或更小尺度的个体电子装置及部件或其集合。个体微电子装置可以包括晶体管、电容器、电感器、电阻器、二极管、绝缘体、导体等。其他装置可以包括电路以及个体装置的某种组合。集成电路(IC)是这样的装置的这样的示例,其有时被称为微芯片等。
由于其尺寸小,因此在微电子装置的制造中使用复杂的技术。一种这样的技术涉及半导体晶圆的制造。通常,微电子装置被制造为材料的图案化层的堆叠的一部分,以形成半导体晶圆。
随着微电子装置的尺寸减小并且其复杂性增加,使由半导体制造产生的机电功能微电子装置的产出最大化变得越来越困难。解决这些问题的现有方法正变得不太有效。
发明内容
与半导体制造过程协同,本文描述的技术促进半导体晶圆的图案的系统合格度的提高。具有很少的或没有系统不合格部分的半导体晶圆将使形成为制造的半导体晶圆的一部分的电子装置的机电性质和/或功能最大化。
与制造过程协同,本文描述的技术使用半导体晶圆的制造计量数据来确定不合格区域中的不合格部分对在其中形成的微电子装置的机电功能的系统性影响。通过该确定,可以对被确定为对形成为半导体晶圆的一部分的微电子装置的机电功能具有足够的系统性影响的不合格部分执行改善。可以通过一个半导体制造工具或多个工具的组合来执行该改善。
附图说明
图1是示出典型的半导体制造过程的示例的框图。
图2是示出根据本公开内容的示例系统的框图。
图3是示出根据本公开内容的示例方法的流程图。
图4A和图4B示出了具有不合格部分的区域的晶圆的表面的可视化。可视化表示根据本公开内容产生的那些可视化。
具体实施方式参照附图。在图中,附图标记的最左边的一个或多个数字标识该附图标记第一次出现的图。贯穿附图使用相同的附图标记来引用相似的特征和部件。
具体实施方式
与半导体制造过程协同,本文描述的技术促进半导体晶圆的图案的系统合格度的提高。具有有限的系统不合格部分的半导体晶圆将使形成为制造的半导体晶圆的一部分的电子装置的机电性质和/或功能最大化。
半导体晶圆的制造可以被描述为由半导体晶圆的图案半导体材料的层的累积形成微电子装置的集合。层也可以被描述为材料的图案的堆叠。形成的微电子装置被设计成当以其预期方式操作时具有电气功能和机械功能。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造