[发明专利]功能性微电子装置的产出的提高在审
| 申请号： | 201880070921.1 | 申请日： | 2018-11-02 |
| 公开（公告）号： | CN111316412A | 公开（公告）日： | 2020-06-19 |
| 发明（设计）人： | 卡洛斯·丰塞卡;纳森·伊普;乔尔·埃斯特雷拉 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66;H01L21/67 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 康建峰;杨林森 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 功能 微电子 装置 产出 提高 | ||
1.一种与半导体制造协同地促进功能性微电子装置的产出的方法，其中，半导体制造包括由半导体晶圆的层形成微电子装置的集合，所述方法包括：
收集所述半导体晶圆的制造计量数据，其中，所述制造计量数据包括在所述半导体制造中形成的所述晶圆的一个或更多个特性的测量结果，并且每个测量结果与所述晶圆的进行这样的测量的空间位置相关联；
基于所收集的制造计量数据检测所述半导体晶圆的不合格部分；
识别所述半导体晶圆的不合格区域，其中，所述不合格区域包括相邻的不合格部分的聚集；
确定所述不合格区域中的不合格部分对至少部分地由所述不合格区域形成的所述微电子装置的功能的系统性影响；
改善被确定为对形成为所述半导体晶圆的一部分的所述微电子装置的机电功能具有系统性影响的所述不合格区域中的不合格部分。
2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述改善包括：
选取至少一个半导体制造工具；
选择在所选取的半导体制造工具的操作中的至少一个改变，其中，所述至少一个改变修改所述半导体制造；
根据在所选取的半导体制造工具的操作中的所选择的改变来模拟半导体晶圆的制造；
估计对由所模拟的半导体晶圆形成的所述微电子装置的机电性质和/或功能的影响。
3.根据权利要求1所述的方法，其中，所述改善包括：
选取多个半导体制造工具的组合；
选择在所选取的半导体制造工具中的每个半导体制造工具的操作中的至少一个改变，其中，所述改变修改所述半导体制造；
根据在所选取的半导体制造工具中的每个半导体制造工具的操作中的所选择的改变来模拟半导体晶圆的制造；
估计对由所模拟的半导体晶圆形成的所述微电子装置的机电性质和/或功能的影响。
4.根据权利要求1所述的方法，其中，所述改善包括在至少一个半导体制造工具的操作中的至少一个改变，其中，所述至少一个改变修改所述半导体制造。
5.根据权利要求1所述的方法，其中，所述改善包括在选取的半导体制造工具中的至少一个半导体制造工具的操作中的至少一个改变，其中，所述改变修改所述半导体制造。
6.根据权利要求1所述的方法，其中，所述半导体制造的一个或多个工具选自沉积工具、轨道工具、光刻工具、蚀刻工具和清洁工具。
7.一种包括指令的非暂态计算机可读存储介质，所述指令在被执行时使计算装置的处理器与通过由半导体晶圆的层(例如，材料的图案的堆叠)形成微电子装置的集合的半导体制造协同地执行操作，所述操作包括：
收集所述半导体晶圆的制造计量数据，其中，所述制造计量数据包括在所述半导体制造中形成的所述晶圆的一个或更多个特性的测量结果，并且每个测量结果与所述晶圆的进行这样的测量的空间位置相关联；
基于所收集的制造计量数据检测所述半导体晶圆的不合格部分；
识别所述半导体晶圆的不合格区域，其中，所述不合格区域包括相邻的不合格部分的聚集；
确定所述不合格区域中的不合格部分对至少部分地由所述不合格区域形成的所述微电子装置的功能的系统性影响；
改善被确定为对形成为所述半导体晶圆的一部分的所述微电子装置的机电功能具有足够的系统性影响的所述不合格区域中的不合格部分。
8.根据权利要求7所述的非暂态计算机可读存储介质，其中，所述改善操作包括：
选取至少一个半导体制造工具；
选择在所选取的半导体制造工具的操作中的至少一个改变，其中，所述至少一个改变修改所述半导体制造；
根据在所选取的半导体制造工具的操作中的所选择的改变来模拟半导体晶圆的制造；
估计对由所模拟的半导体晶圆形成的所述微电子装置的机电性质和/或功能的影响。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
