[发明专利]在具有非平坦表面的支撑件上制造膜的方法在审
申请号: | 201880070872.1 | 申请日: | 2018-10-31 |
公开(公告)号: | CN111295743A | 公开(公告)日: | 2020-06-16 |
发明(设计)人: | 布鲁诺·吉瑟兰;J-M·贝斯奥谢 | 申请(专利权)人: | 索泰克公司 |
主分类号: | H01L21/762 | 分类号: | H01L21/762 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 王小东;黄纶伟 |
地址: | 法国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 具有 平坦 表面 支撑 制造 方法 | ||
1.一种在具有非平坦表面的支撑件(20)上制造膜(12)的方法,其特征在于,该方法包括以下步骤:
-供应具有非平坦表面的供体衬底(10),
-在所述供体衬底(10)中形成脆化区(11)以界定待转移的所述膜(12),
-在待转移的所述膜(12)的所述非平坦表面上通过沉积形成所述支撑件(20),
-使所述供体衬底(10)沿着所述脆化区(11)分离,以将所述膜(12)转移到所述支撑件(20)上。
2.根据权利要求1所述的方法,该方法还包括:在沉积所述支撑件(20)之前在所述非平坦表面上沉积中间层(21)。
3.根据权利要求1或2中的一项所述的方法,其中,形成所述脆化区(11)的步骤通过在所述供体衬底(10)中注入离子物质来进行。
4.根据权利要求3所述的方法,其中,所注入的离子物质是氢和/或氦。
5.根据权利要求1至4中的一项所述的方法,其中,通过热处理来导致所述供体衬底(10)的分离。
6.根据权利要求5所述的方法,其中,以小于所述分离热处理的热预算来实现所述支撑件(20)的沉积。
7.根据权利要求1至6中的一项所述的方法,其中,转移的膜(12)由选自半导体材料、压电材料、磁性材料和功能氧化物的材料制成。
8.根据权利要求1至7中的一项所述的方法,其中,转移的膜(12)是单晶的。
9.根据权利要求1至8中的一项所述的方法,其中,转移的膜(12)的厚度介于100nm和10μm之间,优选介于100nm和1μm之间。
10.根据权利要求1至9中的一项所述的方法,其中,所述支撑件(20)由选自金属、玻璃和陶瓷的材料制成。
11.根据权利要求1至10中的一项所述的方法,其中,所述支撑件(20)具有介于1μm和50μm之间的厚度。
12.根据权利要求1至11中的一项所述的方法,其中,所述支撑件(20)的材料被选择为相对于转移的膜(12)的材料的热系数差的绝对值小于5×10-6K-1。
13.根据权利要求1至12中的一项所述的方法,其中,通过以下技术之一来实现所述支撑件(20)的沉积:物理气相沉积、化学气相沉积、电化学沉积、旋涂、涂漆和喷涂。
14.根据权利要求1至13中的一项所述的方法,其中,待转移的所述膜(12)的所述表面具有至少一个弯曲部分。
15.根据权利要求1至14中的一项所述的方法,其中,待转移的所述膜(12)的所述表面具有至少一个凹陷或浮雕图案(100)。
16.根据权利要求1至15中的一项所述的方法,其中,待转移的所述膜(12)的所述表面具有由大于1nm rms的粗糙度表征的纹理。
17.根据权利要求1至16中的一项所述的方法,其中,在形成所述脆化区(11)之后获得待转移的所述膜(12)的所述非平坦表面。
18.根据权利要求1至16中的一项所述的方法,其中,在形成所述脆化区(11)之前获得待转移的所述膜(12)的所述非平坦表面。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
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