[发明专利]在具有非平坦表面的支撑件上制造膜的方法在审

专利信息
申请号: 201880070872.1 申请日: 2018-10-31
公开(公告)号: CN111295743A 公开(公告)日: 2020-06-16
发明(设计)人: 布鲁诺·吉瑟兰;J-M·贝斯奥谢 申请(专利权)人: 索泰克公司
主分类号: H01L21/762 分类号: H01L21/762
代理公司: 北京三友知识产权代理有限公司 11127 代理人: 王小东;黄纶伟
地址: 法国*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 具有 平坦 表面 支撑 制造 方法
【权利要求书】:

1.一种在具有非平坦表面的支撑件(20)上制造膜(12)的方法,其特征在于,该方法包括以下步骤:

-供应具有非平坦表面的供体衬底(10),

-在所述供体衬底(10)中形成脆化区(11)以界定待转移的所述膜(12),

-在待转移的所述膜(12)的所述非平坦表面上通过沉积形成所述支撑件(20),

-使所述供体衬底(10)沿着所述脆化区(11)分离,以将所述膜(12)转移到所述支撑件(20)上。

2.根据权利要求1所述的方法,该方法还包括:在沉积所述支撑件(20)之前在所述非平坦表面上沉积中间层(21)。

3.根据权利要求1或2中的一项所述的方法,其中,形成所述脆化区(11)的步骤通过在所述供体衬底(10)中注入离子物质来进行。

4.根据权利要求3所述的方法,其中,所注入的离子物质是氢和/或氦。

5.根据权利要求1至4中的一项所述的方法,其中,通过热处理来导致所述供体衬底(10)的分离。

6.根据权利要求5所述的方法,其中,以小于所述分离热处理的热预算来实现所述支撑件(20)的沉积。

7.根据权利要求1至6中的一项所述的方法,其中,转移的膜(12)由选自半导体材料、压电材料、磁性材料和功能氧化物的材料制成。

8.根据权利要求1至7中的一项所述的方法,其中,转移的膜(12)是单晶的。

9.根据权利要求1至8中的一项所述的方法,其中,转移的膜(12)的厚度介于100nm和10μm之间,优选介于100nm和1μm之间。

10.根据权利要求1至9中的一项所述的方法,其中,所述支撑件(20)由选自金属、玻璃和陶瓷的材料制成。

11.根据权利要求1至10中的一项所述的方法,其中,所述支撑件(20)具有介于1μm和50μm之间的厚度。

12.根据权利要求1至11中的一项所述的方法,其中,所述支撑件(20)的材料被选择为相对于转移的膜(12)的材料的热系数差的绝对值小于5×10-6K-1

13.根据权利要求1至12中的一项所述的方法,其中,通过以下技术之一来实现所述支撑件(20)的沉积:物理气相沉积、化学气相沉积、电化学沉积、旋涂、涂漆和喷涂。

14.根据权利要求1至13中的一项所述的方法,其中,待转移的所述膜(12)的所述表面具有至少一个弯曲部分。

15.根据权利要求1至14中的一项所述的方法,其中,待转移的所述膜(12)的所述表面具有至少一个凹陷或浮雕图案(100)。

16.根据权利要求1至15中的一项所述的方法,其中,待转移的所述膜(12)的所述表面具有由大于1nm rms的粗糙度表征的纹理。

17.根据权利要求1至16中的一项所述的方法,其中,在形成所述脆化区(11)之后获得待转移的所述膜(12)的所述非平坦表面。

18.根据权利要求1至16中的一项所述的方法,其中,在形成所述脆化区(11)之前获得待转移的所述膜(12)的所述非平坦表面。

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