[发明专利]用于减少浅沟槽隔离中的锥体形成的选择性蚀刻

权利要求书

1.一种方法，其包括：

利用第一蚀刻参数在衬底的第一区域中蚀刻第一浅沟槽；以及

利用不同于所述第一蚀刻参数的第二蚀刻参数在所述衬底的位于所述第一区域之外的第二区域中蚀刻第二浅沟槽。

2.根据权利要求1所述的方法，其中：

所述第一蚀刻参数包含第一硅选择性比率；并且

所述第二蚀刻参数包含第二硅选择性比率，所述第二硅选择性比率低于所述第一硅选择性比率。

3.根据权利要求2所述的方法，其中：

所述第一硅选择性比率大于10；并且

所述第二硅选择性比率小于5。

4.根据权利要求2所述的方法，其中：

所述第一硅选择性比率限定去除硅材料相对于去除包含氧化物材料、氮化物材料和碳氢化合物材料中的至少一种的蚀刻延缓剂的第一比率；并且

所述第二硅选择性比率限定去除所述硅材料相对于去除包含所述氧化物材料、所述氮化物材料和所述碳氢化合物材料中的至少一种的所述蚀刻延缓剂的第二比率。

5.根据权利要求1所述的方法，其中：

所述第一蚀刻参数包含第一偏置功率；并且

所述第二蚀刻参数包含高于所述第一偏置功率的第二偏置功率。

6.根据权利要求1所述的方法，其中：

所述第一蚀刻参数包含所述第一浅沟槽的第一特征尺寸和所述第一区域的第一沟槽密度；并且

所述第二蚀刻参数包含所述第二浅沟槽的第二特征尺寸和所述第二区域的第二沟槽密度，所述第二特征尺寸大于所述第一特征尺寸，并且所述第二沟槽密度低于所述第一沟槽密度。

7.根据权利要求6所述的方法，其中：

所述第二浅沟槽的沟槽斜率大于85度。

8.根据权利要求1所述的方法，其中：

所述蚀刻所述第一浅沟槽包含执行第一等离子体时间蚀刻；并且

所述蚀刻所述第二浅沟槽包含在所述蚀刻所述第一浅沟槽之前或之后执行第二等离子体时间蚀刻。

9.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括：

在所述蚀刻所述第一浅沟槽之前，在所述衬底之上图案化第一掩模以部分地暴露所述第一区域并且覆盖所述第二区域；

在所述蚀刻所述第一浅沟槽之后去除所述第一掩模；

在所述蚀刻所述第二浅沟槽之前，在所述衬底之上图案化第二掩模以部分地暴露所述第二区域并且覆盖所述第一区域；以及

在所述蚀刻所述第二浅沟槽之后去除所述第二掩模。

10.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括：

在所述蚀刻所述第一浅沟槽和所述蚀刻所述第二浅沟槽之前，在所述第一区域和所述第二区域上方蚀刻介电层，

其中所述介电层包含氧化硅层、氮化硅层或碳氢化合物层中的至少一个。

11.一种方法，其包括：

利用第一硅选择性比率在衬底的第一区域中蚀刻第一浅沟槽；以及

利用第二硅选择性比率在所述衬底的位于所述第一区域之外的第二区域中蚀刻第二浅沟槽，所述第二浅沟槽的特征尺寸大于所述第一浅沟槽的特征尺寸，所述第二区域的沟槽密度低于所述第一区域的沟槽密度，所述第二硅选择性比率低于所述第一硅选择性比率。

12.根据权利要求11所述的方法，其中：

所述第一硅选择性比率大于10；并且

所述第二硅选择性比率小于5。