[发明专利]发光装置及其制造方法以及投影仪

说明书

提供能够减少电极对光的吸收的发光装置。发光装置具有：基体；以及层叠体，其设置于所述基体，所述层叠体具有：第1半导体层；第2半导体层，其导电型与所述第1半导体层不同；以及活性层，其设置于所述第1半导体层与所述第2半导体层之间，所述第1半导体层设置于所述基体与所述活性层之间，在所述层叠体的与所述基体侧相反的一侧设置有凹部，在所述凹部设置有折射率比所述第2半导体层的折射率低的低折射率部，所述凹部的深度为所述层叠体的与所述基体侧相反的一侧的面和所述活性层之间的距离以下，在所述层叠体的与所述基体侧相反的一侧设置有电极。

技术领域

本发明涉及发光装置及其制造方法以及投影仪。

背景技术

在半导体激光器、LED(Light Emitting Diode：发光二极管)等半导体发光装置中，使用GaN系、GaAs系等材料(例如参照专利文献1)。

例如将光封闭在半导体激光器的活性层中是大幅左右阈值电流密度等元件性能的重要要素。通过增大活性层与包层的折射率差，能够提高光封闭系数。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2007-49062号公报

发明内容

发明要解决的课题

但是，在上述这种发光装置中，需要根据活性层的材料、基板的材料考虑晶格匹配等条件，材料的选择项被大幅限制。因此，很难取得活性层与包层的折射率之差，很难提高光封闭系数。如果无法提高光封闭系数，则例如在活性层中产生的光向电极侧泄漏，被电极吸收而成为损耗。

本发明的若干个方式的目的之一在于，提供能够减少电极对光的吸收的发光装置。或者，本发明的若干个方式的目的之一在于，提供能够减少电极对光的吸收的发光装置的制造方法。或者，本发明的若干个方式的目的之一在于，提供具有上述发光装置的投影仪。

用于解决课题的手段

本发明的发光装置具有：基体；以及层叠体，其设置于所述基体，所述层叠体具有：第1半导体层；第2半导体层，其导电型与所述第1半导体层不同；以及活性层，其设置于所述第1半导体层与所述第2半导体层之间，所述第1半导体层设置于所述基体与所述活性层之间，在所述层叠体的与所述基体侧相反的一侧设置有凹部，在所述凹部设置有折射率比所述第2半导体层的折射率低的低折射率部，所述凹部的深度为所述层叠体的与所述基体侧相反的一侧的面和所述活性层之间的距离以下，在所述层叠体的与所述基体侧相反的一侧设置有电极。

在这种发光装置中，能够降低层叠体的设置有凹部的部分的俯视方向(与层叠体的层叠方向垂直的方向)的平均折射率。因此，在这种发光装置中，能够减少活性层中产生的光向第2电极侧泄漏的泄漏量。因此，在这种发光装置中，能够减少第2电极对光的吸收。

在本发明的发光装置中，也可以是，所述层叠体具有多个柱状部，所述柱状部具有所述第1半导体层、所述活性层和所述第2半导体层。

在这种发光装置中，能够减小由于基体的晶格常数和层叠体的晶格常数不同而产生的错位存在于活性层的可能性。

在本发明的发光装置中，也可以是，设置有多个所述凹部，多个所述凹部在规定的方向上以第1间距排列，多个所述柱状部在所述规定的方向上以第2间距排列，所述第1间距比所述第2间距小。

在这种发光装置中，能够抑制封闭活性层中产生的光的效果受到多个凹部的影响。

在本发明的发光装置中，也可以是，在所述低折射率部的与所述基体侧相反的一侧设置有所述电极。

在这种发光装置中，能够减小第2电极的俯视方向上的电阻。

在本发明的发光装置中，也可以是，所述低折射率部是空隙。