[发明专利]发光装置及其制造方法以及投影仪有效
申请号: | 201880069581.0 | 申请日: | 2018-10-19 |
公开(公告)号: | CN111279565B | 公开(公告)日: | 2023-03-14 |
发明(设计)人: | 名川伦郁;石泽峻介 | 申请(专利权)人: | 精工爱普生株式会社 |
主分类号: | H01S5/20 | 分类号: | H01S5/20;G02F1/13357;G03B21/00;G03B21/14;H01S5/30 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 邓毅;黄纶伟 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 发光 装置 及其 制造 方法 以及 投影仪 | ||
1.一种发光装置,其具有:
基体;以及
层叠体,其设置于所述基体,
所述层叠体具有:
第1半导体层;
第2半导体层,其导电型与所述第1半导体层不同;
量子阱层,其设置于所述第1半导体层与所述第2半导体层之间;
第1引导层,其设置于所述第1半导体层与所述量子阱层之间;以及
第2引导层,其设置于所述第2半导体层与所述量子阱层之间,
所述第1半导体层设置于所述基体与所述量子阱层之间,
在所述层叠体的与所述基体侧相反的一侧设置有凹部,
在所述凹部设置有折射率比所述第2半导体层的折射率低的低折射率部,
所述凹部的深度为所述层叠体的与所述基体侧相反的一侧的面和所述第2引导层之间的距离以下,
在所述层叠体的与所述基体侧相反的一侧设置有电极,
所述层叠体具有多个柱状部,
所述柱状部具有所述第1半导体层、所述第1引导层、所述量子阱层、所述第2引导层和所述第2半导体层,
所述低折射率部是空隙,
通过多个所述柱状部,能够将光封闭在俯视观察时设置有多个所述柱状部的区域,
所述凹部通过所述第2半导体层规定出,
在所述低折射率部的与所述基体侧相反的一侧、以及所述凹部的内侧面设置有所述电极,
所述电极与所述凹部的内侧面接触,并且与所述凹部的底面分离。
2.根据权利要求1所述的发光装置,其中,
所述凹部的底面是所述第2引导层的面。
3.根据权利要求2所述的发光装置,其中,
设置有多个所述凹部,
多个所述凹部在规定的方向上以第1间距排列,
多个所述柱状部在所述规定的方向上以第2间距排列,
所述第1间距比所述第2间距小。
4.一种发光装置的制造方法,其具有以下工序:
将第1半导体层、第1引导层、量子阱层、第2引导层和导电型与所述第1半导体层不同的第2半导体层按该顺序形成于基体,从而形成层叠体;
在所述层叠体的与所述基体相反的一侧形成凹部,该凹部设置有折射率比所述第2半导体层的折射率低的低折射率部;以及
在形成所述凹部的工序后,在所述层叠体的与所述基体侧相反的一侧形成电极,
在形成所述凹部的工序中,
以所述凹部的深度为所述层叠体的与所述基体侧相反的一侧的面和所述第2引导层之间的距离以下的方式形成所述凹部,
所述凹部通过所述第2半导体层规定出,
在形成所述层叠体的工序中,
形成具有多个柱状部的所述层叠体,
所述柱状部具有所述第1半导体层、所述第1引导层、所述量子阱层、所述第2引导层和所述第2半导体层,
所述低折射率部是空隙,
通过多个所述柱状部,能够将光封闭在俯视观察时设置有多个所述柱状部的区域,
在形成所述电极的工序中,
在所述低折射率部的与所述基体侧相反的一侧、以及所述凹部的内侧面设置有所述电极,
使所述电极与所述凹部的内侧面接触,并且与所述凹部的底面分离。
5.根据权利要求4所述的发光装置的制造方法,其中,
所述凹部的底面是所述第2引导层的面。
6.一种投影仪,其具有权利要求1~3中的任意一项所述的发光装置。
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