[发明专利]谐振装置在审
申请号: | 201880068819.8 | 申请日: | 2018-11-09 |
公开(公告)号: | CN111264031A | 公开(公告)日: | 2020-06-09 |
发明(设计)人: | 梅田圭一;大川忠行;加本拓 | 申请(专利权)人: | 株式会社村田制作所 |
主分类号: | H03H9/24 | 分类号: | H03H9/24;B81B7/02;B81C3/00;H03B5/32 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 王玮;张丰桥 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 谐振 装置 | ||
本发明提供一种能够减少产品高度的增加并且将振动空间保持为真空的谐振装置。上述谐振装置具备MEMS设备和CMOS设备,上述MEMS设备具有:谐振子,具有下部电极、上部电极以及形成于下部电极与上部电极之间的压电膜;上盖,与谐振子的上部电极对置而设置;以及下盖,与谐振子的下部电极对置而设置、并设置为与上盖一起密封谐振子,上述CMOS设备安装于上盖和下盖之中任一个盖的与朝向谐振子的一侧相反侧的面,CMOS设备具有CMOS层、和在该CMOS层的与朝向谐振子的一侧相反侧的面所设置的保护层,上盖和下盖之中的与CMOS设备接合的盖具有将该CMOS设备与谐振子电连接的贯通电极。
技术领域
本发明涉及谐振装置。
背景技术
以往,使用了MEMS(Micro Electro Mechanical Systems:微电子机械系统)技术的压电谐振装置例如作为定时设备来使用。该压电谐振装置安装于设置在智能电话等电子设备内的印刷电路基板上。
这样的压电谐振装置需要用于使谐振子振荡的振荡电路(例如CMOS设备)。但是,在CMOS设备上安装压电谐振装置的情况下,与CMOS设备相应地产品高度增加。因此,正在摸索抑制产品高度的增加并在CMOS设备上安装压电谐振装置的技术。
例如,在专利文献1、2中公开了通过用CMOS设备代替压电谐振装置的封装的一部分来抑制产品高度的增加的技术。
专利文献1:美国专利第7442570号说明书
专利文献2:美国专利第9114977号说明书
然而,在压电谐振装置中,为了使其谐振特性稳定,供谐振子振动的振动空间需要通过封装被气密地密封,并保持真空状态。但是,CMOS设备没有形成为考虑到有释出气体的设计。在专利文献1、2中所记载的现有技术中,由于CMOS设备的电路露出,因此根据电路所使用的材料,会产生释出气体,导致振动空间的真空度降低。
发明内容
本发明是鉴于这样的情况而完成的,其目的在于提供一种能够减少产品高度的增加并且将振动空间保持为真空的谐振装置。
本发明的一个方面所涉及的谐振装置具备MEMS设备和CMOS设备,上述MEMS设备具有:谐振子,具有下部电极、上部电极以及形成于下部电极与上部电极之间的压电膜;上盖,与谐振子的上部电极对置而设置;以及下盖,与谐振子的下部电极对置而设置并设置为与上盖一起密封谐振子,上述CMOS设备安装于上盖和下盖之中任一个盖的与朝向谐振子的一侧相反侧的面,CMOS设备具有CMOS层、和设置于该CMOS层中的与朝向谐振子的一侧相反侧的面的保护层,上盖和下盖之中的与CMOS设备接合的盖具有将该CMOS设备与谐振子电连接的贯通电极。
根据本发明,能够提供可以减少产品高度的增加并且将振动空间保持为真空的谐振装置。
附图说明
图1是简要地表示第一实施方式所涉及的谐振装置的外观的立体图。
图2是简要地表示第一实施方式所涉及的谐振装置的构造的分解立体图。
图3是第一实施方式所涉及的谐振子的俯视图。
图4是图1的AA’剖视图。
图5A是对第一实施方式所涉及的谐振装置的工艺流程进行说明的示意图。
图5B是对第一实施方式所涉及的谐振装置的工艺流程进行说明的示意图。
图5C是对第一实施方式所涉及的谐振装置的工艺流程进行说明的示意图。
图5D是对第一实施方式所涉及的谐振装置的工艺流程进行说明的示意图。
图5E是对第一实施方式所涉及的谐振装置的工艺流程进行说明的示意图。
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