[发明专利]谐振装置

权利要求书

1.一种谐振装置，其中，

所述谐振装置具备MEMS设备和CMOS设备，

所述MEMS设备具有：

谐振子，具有下部电极、上部电极、以及形成于所述下部电极与所述上部电极之间的压电膜；

上盖，与所述谐振子的所述上部电极对置而设置；以及

下盖，与所述谐振子的所述下部电极对置而设置，并设置为与所述上盖一起密封所述谐振子，

所述CMOS设备安装于所述上盖和所述下盖之中任一个盖的与朝向所述谐振子的一侧相反侧的面，

所述CMOS设备具有CMOS层、和在该CMOS层的与朝向所述谐振子的一侧相反侧的面所设置的保护层，

所述上盖和所述下盖之中的安装有所述CMOS设备的盖具有将该CMOS设备与所述谐振子电连接的贯通电极。

2.根据权利要求1所述的谐振装置，其中，

所述CMOS设备在所述CMOS层的设置有所述保护层的一侧具有外部端子。

3.根据权利要求1或2所述的谐振装置，其中，

所述MEMS设备与所述CMOS设备被共晶接合。

4.根据权利要求3所述的谐振装置，其中，

所述MEMS设备与所述CMOS设备通过铝和锗的共晶而接合。

5.根据权利要求1或2所述的谐振装置，其中，

所述MEMS设备与所述CMOS设备通过相同的绝缘膜彼此的活化接合、相同金属彼此的接合而电连接。

6.根据权利要求1～5中任一项所述的谐振装置，其中，

所述上盖或下盖在朝向所述谐振子的一侧的面具有吸气膜。

7.一种谐振装置制造方法，其中，

所述谐振装置制造方法具备如下工序：

准备MEMS设备的工序，所述MEMS设备具有谐振子、上盖、以及下盖，所述谐振子具有下部电极、上部电极、以及形成于所述下部电极与所述上部电极之间的压电膜，所述上盖与所述谐振子的所述上部电极对置而设置，所述下盖与所述谐振子的所述下部电极对置而设置，并设置为与所述上盖一起密封所述谐振子，所述上盖和所述下盖之中任一个盖具有贯通电极；

准备CMOS设备的工序，所述CMOS设备具有CMOS层、和设置于所述CMOS层上的布线层；

使所述CMOS设备的所述布线层与所述MEMS设备的所述上盖和所述下盖之中具有所述贯通电极的盖的与朝向所述谐振子的一侧相反侧的面对置，而将所述CMOS设备安装于所述MEMS设备的工序；以及

在所述CMOS设备的所述CMOS层的与朝向所述谐振子的一侧相反侧的面形成保护层的工序。