[发明专利]光半导体装置用封装、光半导体装置及光半导体装置用封装的制造方法

说明书

光半导体装置用封装(10)具备电路基板(14)，该基板在光半导体元件搭载区域(16)中依次层叠有：具有第1标准电极电位的第1金属(11)；第2金属(12)，其形成于第1金属(11)的上表面的一部分，且具有大于第1标准电极电位的第2标准电极电位；和第3金属(13)，其形成于第1金属(11)及第2金属(12)的上表面，并且具有大于第1标准电极电位且小于第2标准电极电位的第3标准电极电位。

技术领域

本发明涉及光半导体装置用封装、光半导体装置及光半导体装置用封装的制造方法，特别是涉及防止在长时间使用的情况下的光半导体装置的劣化的技术。

背景技术

在以往的光半导体装置用封装中，在被外围树脂包围的区域(以下也称为“光半导体元件搭载区域”)的最表层(即搭载光半导体元件的底面)形成有银覆膜作为反射覆膜。该区域发挥使光在光半导体装置用封装的外侧高效地反射而提高发光效率的作用。需要说明的是，在本说明书中，将发光元件及受光元件等光半导体称为光半导体元件，将用于搭载光半导体元件的封装本身称为光半导体装置用封装，将搭载有光半导体元件的光半导体装置用封装整体(将光半导体元件与光半导体装置用封装合并而得到的装置)称为光半导体装置。

作为光半导体装置用封装的银覆膜的层构成，大多是在铜或铜合金上形成银镀层(例如参照专利文献1)。然而，这样的层构成的银镀层存在下述问题：由于因光半导体装置的长时间使用所引起的发热的影响而导致基底金属的铜扩散到银镀层表面，从而银镀层表面变色为铜色而导致反射率的降低。

另一方面，作为防止该不良情况的方法，有以下方法：在铜或铜合金上部实施镀镍作为防止铜扩散的阻挡层，在其上部实施用于防止镍镀层中的硫系光泽剂的扩散的镀钯，在其上部实施镀银(例如参照专利文献2)。

图5是表示使用了镍及钯作为防止铜扩散的阻挡层的以往的光半导体装置用封装50的截面图。更详细而言，图5的(a)为以往的光半导体装置用封装50主体的截面图。图5的(b)为图5的(a)的A部的放大图。

在图5的(a)及(b)中，在光半导体装置用封装50中，构成引线框的电路基板54是例如在由铜或铜合金51形成的金属基材的大致整面上依次层叠有由镍镀层52a及钯镀层52b形成的基底镀层以及由银或银合金53形成的反射层。在光半导体装置用封装50的内部空间中将规定的光半导体元件进行管芯焊接及引线接合后，被填充密封树脂。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2013-171969号公报

专利文献2：日本特开2007-258514号公报

发明内容

发明所要解决的课题

在上述那样的层构成的情况下，能够防止因光半导体装置的长期热历程引起的基底铜向银覆膜表面的扩散所导致的反射率降低。

然而，在长时间驱动光半导体装置时，由于从光半导体元件发出的光照射到作为反射器(即反射体)发挥功能的外围树脂中包含的白色颜料即氧化钛，通过氧化钛激发而显示出光催化剂作用而产生的活性氧(具体而言是过氧化物阴离子)使银变成氧化银而发生黑色化，因此产生光半导体装置的寿命变得更短的新问题。

本发明是鉴于以上的各课题而进行的，目的是提供一种光半导体装置用封装等，该光半导体装置用封装能够有效地抑制反射覆膜的反射率的降低和光半导体装置的短寿命化，所述反射率的降低起因于由光半导体装置的发热导致的基底铜的扩散所引起的银镀层变色，所述短寿命化起因于由长时间驱动诱发的因外围树脂中的氧化钛所带来的光催化剂作用而生成的活性氧所导致的银黑色化。

用于解决课题的手段