[发明专利]光半导体装置用封装、光半导体装置及光半导体装置用封装的制造方法在审
| 申请号: | 201880068185.6 | 申请日: | 2018-08-20 |
| 公开(公告)号: | CN111247645A | 公开(公告)日: | 2020-06-05 |
| 发明(设计)人: | 福永隆博;橘高明信 | 申请(专利权)人: | 松下知识产权经营株式会社 |
| 主分类号: | H01L33/62 | 分类号: | H01L33/62;H01L33/60 |
| 代理公司: | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人: | 陈建全 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 半导体 装置 封装 制造 方法 | ||
1.一种光半导体装置用封装,其是用于搭载光半导体元件的光半导体装置用封装,其具备:
电路基板;和
包含白色颜料的壁部,其形成于所述电路基板上,且将搭载所述光半导体元件的所述电路基板上的区域的外周包围,
其中,所述电路基板由下述金属构成:
具有第1标准电极电位的第1金属;
第2金属,其形成于所述第1金属的上表面的一部分,且具有大于所述第1标准电极电位的第2标准电极电位;和
第3金属,其层叠于所述第1金属的上表面及所述第2金属的上表面,并且具有大于所述第1标准电极电位且小于所述第2标准电极电位的第3标准电极电位。
2.根据权利要求1所述的光半导体装置用封装,其中,所述白色颜料由氧化钛构成。
3.根据权利要求1或2所述的光半导体装置用封装,其中,所述第2金属形成于层叠方向上的所述第1金属与所述第3金属之间。
4.根据权利要求1~3中任一项所述的光半导体装置用封装,其中,所述第1金属由铜或铜合金构成。
5.根据权利要求1~4中任一项所述的光半导体装置用封装,其中,所述第2金属由钯或钯合金构成。
6.根据权利要求1~5中任一项所述的光半导体装置用封装,其中,所述第1金属与所述第3金属的界面的面积小于所述第1金属与所述第2金属的界面的面积。
7.根据权利要求1~3中任一项所述的光半导体装置用封装,其中,所述第1金属形成于所述壁部的下方。
8.一种光半导体装置,其具备:
光半导体元件;和
搭载所述光半导体元件的权利要求1~7中任一项所述的光半导体装置用封装。
9.一种光半导体装置用封装的制造方法,其是用于搭载光半导体元件的光半导体装置用封装的制造方法,其包括下述工序:
准备具有第1标准电极电位的第1金属的工序;
在所述第1金属的上表面的一部分形成第2金属的工序,所述第2金属具有大于所述第1标准电极电位的第2标准电极电位;和
在所述第1金属的上表面及所述第2金属的上表面形成第3金属的工序,所述第3金属具有大于所述第1标准电极电位且小于所述第2标准电极电位的第3标准电极电位。
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