[发明专利]光半导体装置用封装、光半导体装置及光半导体装置用封装的制造方法在审

专利信息
申请号: 201880068185.6 申请日: 2018-08-20
公开(公告)号: CN111247645A 公开(公告)日: 2020-06-05
发明(设计)人: 福永隆博;橘高明信 申请(专利权)人: 松下知识产权经营株式会社
主分类号: H01L33/62 分类号: H01L33/62;H01L33/60
代理公司: 永新专利商标代理有限公司 72002 代理人: 陈建全
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 半导体 装置 封装 制造 方法
【权利要求书】:

1.一种光半导体装置用封装,其是用于搭载光半导体元件的光半导体装置用封装,其具备:

电路基板;和

包含白色颜料的壁部,其形成于所述电路基板上,且将搭载所述光半导体元件的所述电路基板上的区域的外周包围,

其中,所述电路基板由下述金属构成:

具有第1标准电极电位的第1金属;

第2金属,其形成于所述第1金属的上表面的一部分,且具有大于所述第1标准电极电位的第2标准电极电位;和

第3金属,其层叠于所述第1金属的上表面及所述第2金属的上表面,并且具有大于所述第1标准电极电位且小于所述第2标准电极电位的第3标准电极电位。

2.根据权利要求1所述的光半导体装置用封装,其中,所述白色颜料由氧化钛构成。

3.根据权利要求1或2所述的光半导体装置用封装,其中,所述第2金属形成于层叠方向上的所述第1金属与所述第3金属之间。

4.根据权利要求1~3中任一项所述的光半导体装置用封装,其中,所述第1金属由铜或铜合金构成。

5.根据权利要求1~4中任一项所述的光半导体装置用封装,其中,所述第2金属由钯或钯合金构成。

6.根据权利要求1~5中任一项所述的光半导体装置用封装,其中,所述第1金属与所述第3金属的界面的面积小于所述第1金属与所述第2金属的界面的面积。

7.根据权利要求1~3中任一项所述的光半导体装置用封装,其中,所述第1金属形成于所述壁部的下方。

8.一种光半导体装置,其具备:

光半导体元件;和

搭载所述光半导体元件的权利要求1~7中任一项所述的光半导体装置用封装。

9.一种光半导体装置用封装的制造方法,其是用于搭载光半导体元件的光半导体装置用封装的制造方法,其包括下述工序:

准备具有第1标准电极电位的第1金属的工序;

在所述第1金属的上表面的一部分形成第2金属的工序,所述第2金属具有大于所述第1标准电极电位的第2标准电极电位;和

在所述第1金属的上表面及所述第2金属的上表面形成第3金属的工序,所述第3金属具有大于所述第1标准电极电位且小于所述第2标准电极电位的第3标准电极电位。

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