[发明专利]微细图案的制造方法以及使用了其的显示器件的制造方法

说明书

[问题]本发明提供在液晶显示器件制造领域中适宜使用的、实效性地制造分辨极限以下的抗蚀图案的方法。具体提供：维持具有锥形形状的图案形状且为极限分辨以下的微细图案的制造方法。[解决方案]一种微细图案的制造方法，其包含以下的工序：在基板上，涂布包含碱溶解速度为的酚醛清漆树脂的抗蚀组合物，形成抗蚀组合物层的工序，将前述抗蚀组合物层进行曝光的工序，将前述抗蚀组合物层进行显影，形成抗蚀图案的工序，将前述抗蚀图案进行整面曝光的工序，在前述抗蚀图案的表面涂布微细图案形成组合物，形成微细图案形成组合物层的工序，将前述抗蚀图案以及微细图案形成组合物层进行加热，将前述微细图案形成组合物层的前述抗蚀图案附近区域进行固化而形成不溶化层的工序，以及将前述微细图案形成组合物层的未固化部分去除的工序。

技术领域

本发明涉及微细图案的制造方法、以及使用了其的显示器件的制造方法，其中，在形成抗蚀图案时，通过将已经形成的抗蚀图案间的分离尺寸或者图案开口尺寸进行缩小，从而可形成更微细的图案。

背景技术

近年来，在半导体器件(device)和/或液晶显示器件的制造中，使用抗蚀剂而进行图案形成。关于液晶显示器件的抗蚀工艺，适用于例如从300mm×400mm的第1代基板至被称为第10代的2850mm×3050mm的大型的基板，为了实现高通量而要求高灵敏度化。在这样地适用于超大型的玻璃基板的情况下，包括制造装置在内，与半导体器件制造用的抗蚀剂的情况相比，所要求的特性完全不同。例如，对于宽广的基板面整面，要求抗蚀图案尺寸的均匀性。另外，所使用的光源也与半导体器件制造用的抗蚀剂的情况不同，使用了例如365nm(i线)、405nm(h线)、436nm(g线)等300nm以上的辐射线、特别是它们的混合波长。另外，关于抗蚀图案的形状，在半导体制造领域优选为矩形，与此相对，由于在其后的加工方面有利，因而有时会优选为在孔穴(hole)部等的内侧侧面带有倾斜(以下，称为“锥度”(taper))的形状。

最近，正在繁盛地进行对于被称作系统LCD的高功能LCD的技术开发，要求实现抗蚀图案的更进一步的高分辨化。一般而言，为了提高抗蚀图案的分辨率，根据雷利方程式(Rayleigh’s Equation)：

最小分辨率R＝k1×λ/NA

焦点深度DOF＝k2×λ/NA²

(式中，k1以及k2表示常数，λ表示曝光波长，NA表示数值孔径)，必须使用短波长的光源，或者必须使用高NA(数值孔径)的曝光工艺。然而，在液晶显示器件制造领域，不易通过变更光源装置而现今以上地将曝光波长进行短波长化，从提高通量的观点考虑，也不易进行高NA化(例如，专利文献1)。

另外，在半导体器件制造领域，存在有相移掩模(phase shift mask)和光学邻近效应修正(Optical Proximity Correction，OPC)那样的微细图案形成用的技术，但在液晶显示器件的实际制造中，NA低，使用g、h、i线等混合波长，因而在这些技术方面无法期望良好的效果。这样地，即使将半导体器件制造领域中的图案微细化技术转用于显示器件的制造中，也未必一定成功。

此外有人提出了如下的方法：虽然是半导体器件制造领域，但作为将抗蚀图案进行微细化的方法之一，通过由抗蚀组合物形成抗蚀图案，然后在抗蚀图案上施加包覆层，进行加热等，从而在包覆层与抗蚀图案之间形成混合层，其后通过将包覆层的一部分去除而使抗蚀图案变粗，作为结果，将抗蚀图案的分离尺寸或者孔穴开口尺寸进行缩小而谋求抗蚀图案的微细化，实效性地形成分辨极限以下的微细抗蚀图案(例如，专利文献2和3)。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2003-195496号公报

专利文献2：日本特许3071401号公报

专利文献3：日本特开平11(1999)-204399号公报

发明内容