[发明专利]静电卡盘组件、静电卡盘及聚焦环

说明书

静电卡盘组件(15)具备：陶瓷体(22)，其在作为圆形表面的晶片载置面(22a)的外周部具有位置比晶片载置面(22a)低的F/R载置面(28a)；晶片吸附用电极(32)，其埋设于陶瓷体(22)的内部中的与晶片载置面(22a)对置的位置；F/R吸附用电极(38)，其埋设于陶瓷体(22)的内部中的与F/R载置面(28a)对置的位置；用于积存气体的凹凸区域(29)，其设置于F/R载置面(28a)的表面；聚焦环(50)，其载置于F/R载置面(28a)；以及一对弹性环状密封材料(60)，其处于聚焦环载置面(28a)与聚焦环(50)之间且以包围凹凸区域(29)的方式配置于F/R载置面(28a)的内周侧和外周侧。

技术领域

本发明涉及静电卡盘组件、静电卡盘以及聚焦环。

背景技术

一直以来，已知等离子体蚀刻装置、等离子体CVD装置、等离子体灰化装置等等离子体处理装置。这样的等离子体处理装置中，通常设置有用于将晶片载置于真空腔室内的晶片载置装置。晶片载置装置具备用于将实施等离子体处理的晶片吸附固定于晶片载置面的静电卡盘、以及将该静电卡盘进行冷却的冷却板。作为静电卡盘，使用内部电极埋设于绝缘体或电介质(大多为陶瓷)的静电卡盘等。这样的晶片载置装置中，在将晶片载置于晶片载置面的状态下对内部电极施加直流电压而产生静电力(库仑力或约翰逊拉别克力)，从而将晶片吸附固定于晶片载置面。而且，在该状态下，以与晶片接触的方式产生等离子体。有时在晶片载置面的外周设置能够更换的聚焦环。聚焦环载置于位置比晶片载置面低的聚焦环载置面，具有使等离子体稳定地产生至晶片的外周边缘的作用、保护静电卡盘的表面的作用。在对晶片实施等离子体处理时，不仅晶片，该聚焦环也暴露于等离子体，因此温度升高。吸附固定于静电卡盘的晶片经由静电卡盘被冷却板所冷却。然而，聚焦环有时与静电卡盘相比非常厚，因此不能充分地吸附于静电卡盘而温度过于升高，导致有晶片的外周边缘的温度变高，等离子体处理工艺的成品率变差的担忧。

因此，专利文献1中，对于表面经氧化铝膜处理的铝制的静电卡盘，使晶片载置面所使用的电介质与聚焦环载置面所使用的电介质的电阻率不同，利用库仑力吸附晶片，利用约翰逊拉别克力吸附聚焦环。此外，专利文献2中，在相同陶瓷内设置与晶片吸附用电极不同的聚焦环吸附用电极，仅使施加于聚焦环吸附用电极的卡盘电压根据等离子体处理的工序发生变化，而在聚焦环易于成为高温的蚀刻工序中，提高卡盘电压以提高吸附力。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本专利第4559595号公报

专利文献2：日本特开2010-183074号公报

发明内容

发明所要解决的课题

可是，专利文献1、2中，记载了对于聚焦环载置面与聚焦环之间供给氦气，使聚焦环载置面与聚焦环之间的热传递变得顺利。然而，专利文献1、2中，有时供给于聚焦环载置面与聚焦环之间的氦气没有滞留于聚焦环载置面与聚焦环之间而向其周围泄漏，有时由氦气进行的热传递不能充分地进行。因此，期望抑制这样的气体泄漏。

本发明是为了解决这样的课题而提出的，其主要目的在于提供能够抑制供给于聚焦环载置面与聚焦环之间的气体向其周围泄露的静电卡盘组件、静电卡盘以及聚焦环。

用于解决课题的方法

本发明的静电卡盘组件具备：

陶瓷体，其在作为圆形表面的晶片载置面的外周部具有位置比上述晶片载置面低的聚焦环载置面；

第1电极，其埋设于上述陶瓷体的内部中的与上述晶片载置面对置的位置；

第2电极，其埋设于上述陶瓷体的内部中的与上述聚焦环载置面对置的位置；

用于积存气体的凹凸区域，其设置于上述聚焦环载置面的表面；

聚焦环，其载置于上述聚焦环载置面；以及