[发明专利]静电卡盘组件、静电卡盘及聚焦环有效
| 申请号： | 201880067044.2 | 申请日： | 2018-10-31 |
| 公开（公告）号： | CN111226309B | 公开（公告）日： | 2023-09-19 |
| 发明（设计）人： | 久野达也;森冈育久;相川贤一郎 | 申请（专利权）人： | 日本碍子株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/683 | 分类号： | H01L21/683;H02N13/00 |
| 代理公司： | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人： | 钟晶;金鲜英 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 静电 卡盘 组件 聚焦 | ||
1.一种静电卡盘组件，具备：
陶瓷体，其在作为圆形表面的晶片载置面的外周部具有位置比所述晶片载置面低的聚焦环载置面；
第1电极，其埋设于所述陶瓷体的内部中的与所述晶片载置面对置的位置；
第2电极，其埋设于所述陶瓷体的内部中的与所述聚焦环载置面对置的位置；
用于积存气体的凹凸区域，其设置于所述聚焦环载置面的表面；
聚焦环，其载置于所述聚焦环载置面；以及
一对弹性环状密封材料，其处于所述聚焦环载置面与所述聚焦环之间且以包围所述凹凸区域的方式配置于所述聚焦环载置面的内周侧和外周侧，
所述陶瓷体中的除了所述聚焦环载置面与所述第2电极之间的部分以外的主体由具有能够发挥库仑力的体积电阻率的第1陶瓷构件构成，作为所述聚焦环载置面与所述第2电极之间的部分的副体由具有能够发挥约翰逊拉别克力的体积电阻率的第2陶瓷构件构成，
所述第1陶瓷构件的体积电阻率在使用温度下为1×1015Ωcm以上，所述第2陶瓷构件的体积电阻率在使用温度下为1×108Ωcm以上1×1013Ωcm以下。
2.根据权利要求1所述的静电卡盘组件，所述弹性环状密封材料嵌入在设置于所述聚焦环载置面和所述聚焦环的至少一者的环状槽中。
3.一种静电卡盘，具备：
陶瓷体，其在作为圆形表面的晶片载置面的外周部具有位置比所述晶片载置面低的聚焦环载置面；
第1电极，其埋设于所述陶瓷体的内部中的与所述晶片载置面对置的位置；
第2电极，其埋设于所述陶瓷体的内部中的与所述聚焦环载置面对置的位置；
用于积存气体的凹凸区域，其设置于所述聚焦环载置面的表面；以及
一对环状槽，其以包围所述聚焦环载置面的表面中的所述凹凸区域的方式设置于内周侧和外周侧，
所述陶瓷体中的除了所述聚焦环载置面与所述第2电极之间的部分以外的主体由具有能够发挥库仑力的体积电阻率的第1陶瓷构件构成，作为所述聚焦环载置面与所述第2电极之间的部分的副体由具有能够发挥约翰逊拉别克力的体积电阻率的第2陶瓷构件构成，
所述第1陶瓷构件的体积电阻率在使用温度下为1×1015Ωcm以上，所述第2陶瓷构件的体积电阻率在使用温度下为1×108Ωcm以上1×1013Ωcm以下。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
