[发明专利]传感器未对准测量的方法和装置

说明书

本发明涉及用于测量半导体装置的诸层之间的未对准的系统及方法。在具体实施例中，一种方法，其包括：施加输入电压至与半导体装置的第一导电层关联的一个或多个第一电极中的每一个；感测一个或多个第二电极与所述半导体装置的第二导电层关联的电气性质，以响应施加所述输入电压至所述一个或多个第一电极的每一个；以及依据所述一个或多个第二电极的所述电气性质来计算所述半导体装置的所述第一导电层与所述半导体装置的所述第二导电层之间朝面内方向的未对准。

相关申请的交叉引用

本申请要求于2017年10月13日提交，序列号为No.15/783,792，标题为“传感器未对准测量的方法和装置”的美国专利申请的优先权，其通过引用整体合并于此。

背景技术

某些传感器装置(例如，加速度计、气体传感器等等)被设计可包容导电装置层和/或装置的其他组件部分之间的给定未对准量。如果设计的实际操作不正确，或是如果组件之间的实际未对准超过包容量，则可能产生效能和/或可靠性问题。因此，最好在制作装置上实施用于测量未对准的技术。

发明内容

以下为本发明具体实施例中的一个或多个的简化摘要以便提供所述具体实施例的基本了解。此摘要并非描述于此的具体实施例的广泛性概要。不是要用来区别所述具体实施例的关键或重要元件，也不是描绘具体实施例或权利要求的任何范畴。此摘要的唯一目的只是要以简化的形式提出所述具体实施例的一些概念作为以下实施方式的前言。也应了解，实施方式可包括超出发明内容中所描述的附加或替代具体实施例。

至少在某些具体实施例中，本公开认出且应付侦测例如传感器装置的半导体装置未对准问题。各种半导体装置可包括经形成或以其他方式安置成彼此相叠的多层。如果装置的设计不正确，或是如果诸层之间的未对准超过容许量，则可能产生效能和/或可靠性问题。公开系统及方法提供一种未对准传感器，它可并入半导体装置以使能未对准的快速非破坏性测量。公开未对准传感器便于以在最小的附加面积或电路与现有半导体结构整合。

在公开于本文的一方面，提供一种装置包括：第一导电层，具有邻接所述第一导电层的第一表面的第一表面的中间层，以及具有邻接所述中间层的第二表面的第一表面的第二导电层。所述中间层的第二表面与所述中间层的第一表面相对。所述装置另外包括：嵌入所述第一导电层的一个或多个第一电极与嵌入所述第二导电层的一个或多个第二电极，且所述一个或多个第一电极与所述一个或多个第二电极形成适当的电气网络(例如，惠更斯(Wheatstone)桥或半桥)，其展现的电气性质随着第一导电层与第二导电层朝面内方向的未对准的函数而改变。

在公开于本文的另一方面，提供一种方法包括：施加输入电压至与半导体装置的第一导电层关联的一个或多个第一电极中的每一个，感测一个或多个第二电极与所述半导体装置的第二导电层关联的电气性质，以响应施加所述输入电压至所述一个或多个第一电极的每一个，且依据所述一个或多个第二电极的所述电气性质来计算所述半导体装置的所述第一导电层与所述半导体装置的所述第二导电层之间朝面内方向的未对准。

以下更详细地描述其他具体实施例及各种实施例、情景和实际操作。以下说明及附图会详述本专利说明书的一些示范具体实施例。不过，所述具体实施例只表明可运用本专利说明书的原理的各种方式中的少数几个。由以下本专利说明书结合附图的详细说明可明白所述具体实施例的其他优点及新颖特征。

附图说明

图1的高阶框图是根据本公开的一个或多个具体实施例图示用于测量半导体装置诸层之间的未对准的系统。

图2图示可用图1系统侦测半导体装置中的示范层件未对准。

图3的简化示意图具有可被描述于此的各种具体实施例利用的单端型输入感测的单端型感测电路。

图4的横截面图图示可利用如图3所示的感测技术的电子装置结构。