[发明专利]传感器未对准测量的方法和装置有效
申请号: | 201880066758.1 | 申请日: | 2018-10-11 |
公开(公告)号: | CN111213028B | 公开(公告)日: | 2022-02-01 |
发明(设计)人: | 伊利亚·古林;李奥纳多·巴尔达萨诺 | 申请(专利权)人: | 应美盛公司 |
主分类号: | G01B7/00 | 分类号: | G01B7/00;H01L21/66 |
代理公司: | 北京国昊天诚知识产权代理有限公司 11315 | 代理人: | 南霆;程爽 |
地址: | 美国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 传感器 对准 测量 方法 装置 | ||
1.一种装置,所述装置用于侦测传感器中多个层的未对准,所述装置包含:
第一导电层;
第二导电层;
一个或多个第一电极,嵌入所述第一导电层;以及
多个第二电极,嵌入所述第二导电层;
感测电路,连接于所述一个或多个第一电极;以及
多个时变信号源,连接至所述多个第二电极中的每一个;其中,所述一个或多个第一电极与所述多个第二电极中的至少一个第二电极形成桥式结构的至少一部分,所述桥式结构展现的电气性质随着所述第一导电层与所述第二导电层朝面内方向的未对准的函数而改变。
2.根据权利要求1所述的装置,进一步包含:
非导电中间层,所述非导电中间层的第一表面邻接所述第一导电层的第一表面;其中,
所述一个或多个第一电极包含一个第一电极;以及
所述一个第一电极与所述多个第二电极中的两个第二电极形成电容半桥式结构,其中所述电气性质为所述一个第一电极与所述两个第二电极之间所存储的电荷。
3.根据权利要求2所述的装置,其中:
所述感测电路为连接至所述一个第一电极的差分感测电路。
4.根据权利要求2所述的装置,其中:
所述多个时变信号源为两个时变电压源,
所述感测电路为连接至所述一个第一电极的单端型感测电路。
5.根据权利要求1所述的装置,其中:
所述一个或多个第一电极为多个第一电极;
所述第一导电层包含第一部分和第二部分,所述第一部分具有所述多个第一电极的至少第一个嵌入于其中,所述第二部分具有所述多个第一电极的至少第二个嵌入于其中;
所述第二导电层包含第一部分和第二部分,所述第一部分具有所述多个第二电极的至少第一个嵌入于其中,所述第二部分具有所述多个第二电极的至少第二个嵌入于其中;
所述多个第一电极与所述多个第二电极形成全桥式结构;以及
所述电气性质为所述多个第二电极中的每一个之间的差分电导或差分电容。
6.根据权利要求5所述的装置,其中:
所述一个或多个第一电极包含嵌入所述第一导电层的所述第一部分的两个第一电极与嵌入所述第一导电层的所述第二部分的两个第一电极;以及
所述多个第二电极包含嵌入所述第二导电层的所述第一部分的一个第二电极与嵌入所述第二导电层的所述第二部分的一个第二电极。
7.根据权利要求1所述的装置,进一步包含:
第三导电层;
所述一个或多个第一电极包含两个第一电极;
以及
所述两个第一电极和所述多个第二电极中的一个第二电极形成电阻半桥式结构,并且其中所述电气性为电导。
8.根据权利要求7所述的装置,其中:
所述感测电路为连接至所述两个第一电极的差分感测电路。
9.根据权利要求7所述的装置,其中
所述感测电路为单端型感测电路。
10.根据权利要求1所述的装置,其中,所述第一导电层或所述第二导电层中的至少一个为微机电系统层。
11.根据权利要求1所述的装置,其中,所述第一导电层或所述第二导电层中的至少一个为与所述装置关联的互补金属氧化物半导体管芯层。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于应美盛公司,未经应美盛公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201880066758.1/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。