[发明专利]流体供给管线的异常诊断方法在审

专利信息
申请号: 201880066503.5 申请日: 2018-10-05
公开(公告)号: CN111213109A 公开(公告)日: 2020-05-29
发明(设计)人: 丹野龙太郎;相川献治;原田章弘;铃木裕也;松田隆博;米华克典;落石将彦;篠原努 申请(专利权)人: 株式会社富士金
主分类号: G05D7/06 分类号: G05D7/06;F16K37/00
代理公司: 北京汇思诚业知识产权代理有限公司 11444 代理人: 张黎;龚敏
地址: 日本国大阪府大*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 流体 供给 管线 异常 诊断 方法
【说明书】:

本发明根据利用多个流体控制设备而构成的流体供给管线整体的动作来诊断流体控制设备的异常。流体供给管线利用以流体密封方式连通的多个流体控制设备(F、V1、V2)而构成,诊断流体供给管线的异常的方法包括:阀操作工序,将流量控制装置内阀(FV)、阀(V1)和阀(V2)中的任一个或多个阀打开或关闭;压力调整工序,使自阀(V1)经由流量控制装置至阀(V2)的流路(R1、R2)内的一部分或全部为真空状态或加压状态;压力检测工序,通过压力检测机构(P1、P2)来获取流量控制装置(F)的流路内随时间推移的压力特性;以及异常判定工序,将由压力检测机构(P1、P2)获取的异常诊断时的压力特性与在同一条件下预先测定的正常时的压力特性进行对比,来判定异常的有无。

技术领域

本发明涉及对具有多个流体控制设备的流体供给管线的异常进行诊断的技术。

背景技术

在对用于半导体制造工艺的工艺流体进行供给的流体供给管线上,采用自动阀等流体控制设备。

近年,ALD(Atomic Layer Deposition;原子层沉积)等半导体制造工艺高级化,寻求现有程度以上的能细微控制工艺流体的流体供给管线。而且,为了满足高级化的半导体制造工艺的要求,例如提出了能更精密地监视阀的状态的流体控制设备。

关于该点,在专利文献1中提出了一种阀,该阀具备:主体,其形成有第1流路以及第2流路;以及阀体,其对第1流路与第2流路之间进行连通或者截断。主体具有:基部,其具有位于阀体侧的第1面以及位于第1面的相反侧的第2面;第1连结部,其具有第3面,该第3面与第2面形成高低差部;以及第2连结部,其具有第4面,该第4面与第1面形成高低差部。第1流路具有第1-1流路和第1-2流路,第1-1流路的第1-1端口在第3面开口,第1-2流路的第1-3端口与第1-1流路的第1-2端口连通,且朝阀体开口,第1-2流路的第1-4端口在第4面开口,第1流路与所述第2流路能通过第1-3端口连通,第1连结部与别的阀的主体中的相当于第2连结部的部分相连结,第1-1流路与别的阀的主体中的相当于第1-2流路的流路相连通。

另外,作为诊断阀的异常的技术,在专利文献2中提出了一种压力式流量控制装置中的节流孔堵塞检测方法,流量控制装置由控制阀、节流孔、对它们之间的上游侧压力进行检测的压力检测器、以及流量设定回路构成,并且将上游侧压力保持为下游侧压力的约2倍以上并运算下游侧的流量,通过该运算流量与设定流量的差信号对控制阀进行打开关闭控制,在所述流量控制装置中,所述节流孔堵塞检测方法由以下工序构成:第一工序,其将设定流量保持为100%流量的高设定流量;第二工序,其将该高设定流量切换为0%流量的低设定流量并保持,测定上游侧压力,得到压力衰减数据;第三工序,其将在相同条件下在节流孔没有堵塞时测定出的基准压力衰减数据与上述压力衰减数据进行对比;以及第四工序,其在切换为所述低设定流量之后给定时间后的压力衰减数据与基准压力衰减数据相差给定程度以上时,报告堵塞。

(在先技术文献)

(专利文献)

专利文献1:日本特开2016-223533号公报

专利文献2:日本专利第3546153号公报

发明内容

(发明要解决的课题)

然而,在由多个流体控制设备构成的流体供给管线中,各流体控制设备因其他流体控制设备的打开关闭动作、流量变化等而受到影响。故而,仅针对每个流体控制设备诊断单独的动作异常的有无,无法保证高级化的半导体制造工艺所要求的精度。

另外,若电气布线或空气管因流体控制设备的高功能化而复杂化,则复杂化的电气布线会引起噪声或指示信号的传输速度的延迟,且空气管的内部容积的增加会使流体控制设备的打开关闭速度下降,或各流体控制设备的打开关闭速度会产生误差。这在诊断异常的有无的情况下也成为妨碍准确且精密的诊断的理由。

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