[发明专利]透明导电性薄膜及其制造方法有效
| 申请号： | 201880065717.0 | 申请日： | 2018-10-19 |
| 公开（公告）号： | CN111194471B | 公开（公告）日： | 2021-12-21 |
| 发明（设计）人： | 酒井和也;松本圭祐;河野文彦;安藤豪彦 | 申请（专利权）人： | 日东电工株式会社 |
| 主分类号： | H01B5/14 | 分类号： | H01B5/14;H01B13/00;B32B7/027;B32B9/00;B32B9/04;B32B27/32;B32B27/36;B32B27/06;B32B33/00 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人： | 刘新宇;李茂家 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 透明 导电性 薄膜 及其 制造 方法 | ||
1.一种透明导电性薄膜，其特征在于，其依次具备透明基材和透明导电层，
所述透明基材包含具有130℃以上的玻璃化转变温度的树脂，
所述透明导电层为非晶质，
所述透明导电性薄膜以150℃加热90分钟后的MD方向的热收缩率与TD方向的热收缩率之差为0.05％以下。
2.根据权利要求1所述的透明导电性薄膜，其特征在于，所述树脂具有5.5×10-5/℃以上且8.0×10-5/℃以下的线膨胀系数。
3.根据权利要求1或2所述的透明导电性薄膜，其特征在于，所述树脂为选自由环烯烃系树脂和聚碳酸酯树脂组成的组中的至少1种。
4.根据权利要求1或2所述的透明导电性薄膜，其特征在于，所述透明导电层包含铟锡复合氧化物。
5.根据权利要求1或2所述的透明导电性薄膜，其特征在于，其具有20μm以上且100μm以下的厚度。
6.根据权利要求1或2所述的透明导电性薄膜，其特征在于，其还具备抗粘连层、硬涂层和光学调整层，
依次配置有所述抗粘连层、所述透明基材、所述硬涂层、所述光学调整层和所述透明导电层。
7.一种透明导电性薄膜的制造方法，其特征在于，其具备如下工序：
准备透明基材的第一工序；
对所述透明基材进行退火的第二工序；以及
将非晶质的透明导电层配置于所述透明基材，制造依次具备所述透明基材和所述透明导电层的透明导电性薄膜的第三工序，
在所述第二工序中，按照将所述透明导电性薄膜以150℃加热90分钟后的MD方向的热收缩率与TD方向的热收缩率之差为0.05％以下的方式对所述透明基材进行退火。
8.根据权利要求7所述的透明导电性薄膜的制造方法，其特征在于，在所述第二工序中，将透明基材以低于145℃的条件加热1分钟以上且5分钟以下。
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