[发明专利]用于制造光电子器件的方法和光电子器件

说明书

本发明涉及一种用于制造光电子器件(100)的方法，该方法具有如下步骤：A)在载体(7)上提供半导体层序列(1)，其中，半导体层序列(1)设置用于发射辐射，其中，半导体层序列(1)具有至少一个n型掺杂的半导体层(11)、至少一个p型掺杂的半导体层(12)和布置在p型和n型掺杂的半导体层(11、12)之间的有源层(13)，B)将接触层(3)直接施加到半导体层序列(1)上，接触层阻止或减少镜面层(4)的材料的扩散，其中，接触层(3)具有最大10nm的层厚度，C)将镜面层(4)直接施加到接触层(3)上，并且D)将势垒层(5)直接施加到镜面层(4)上。

本发明涉及一种用于制造光电子器件的方法。此外，本发明还涉及一种光电子器件。

光电子器件，尤其是基于氮化铟镓的发光二极管(LED)，在外延层的p侧上优选具有银，所述银既用作触点也用作镜面。沉积层的结构在此决定了触点电阻和LED的亮度，并且因此直接决定了效率。除了沉积以外，热处理步骤也会导致镜面材料的结构的改变和位于其下方的材料的扩散过程的发生，其在有限的可控范围内既改变触点电阻也改变反射率。

本发明所要解决的技术问题在于，提供一种用于制造相应的光电子器件的方法，光电子器件具有均匀的发光图像和/或良好的正向电压。特别地，产生的光电子器件具有良好的亮度。

该技术问题或这些技术问题分别通过根据权利要求1和17的用于制造光电子器件的方法并且通过根据权利要求16的光电子器件解决。

本发明的有利的设计方案和扩展方案是从属权利要求的主题。

在至少一种实施方式中，用于制造光电子器件的方法具有尤其是按照在此给出的顺序的步骤A)至D)：

A)提供半导体层序列，

B)将接触层直接施加到半导体层序列上，接触层阻止或减少镜面层的材料的扩散，其中，接触层具有最大10nm的层厚度，

C)将镜面层直接施加到接触层上，并且

D)将势垒层直接施加到镜面层上。半导体层序列优选布置在载体上。半导体层序列设置用于发射辐射。半导体层序列具有至少一个n型掺杂的半导体层、至少一个p型掺杂的半导体层和布置在n型与p型掺杂的半导体层之间的有源层。

备选地或附加地，接触层(Kontaktschicht)可以不是阻止或减少镜面层的材料的扩散，而是一方面影响另外的层的生长特性和晶体取向，另一方面改变参与触点的物质的组成。

根据至少一种实施方式，该方法具有步骤A)，提供半导体层序列。半导体层序列施加在载体上。半导体层序列包括至少一个n型掺杂的半导体层、至少一个p型掺杂的半导体层和布置在n型与p型掺杂的半导体层之间的有源层。半导体层序列优选基于III-V族化合物半导体材料。“基于III-V族化合物半导体材料”在本发明的上下文中表示，半导体层序列或半导体层序列的至少一个层包括III族氮化物-化合物半导体材料、优选In_xAl_yGa_1-x-yN，其中，0≤x≤1，0≤y≤1，并且x+y≤1。在此，该材料不必强制性地具有根据上式的在数学上准确的组成。相反地，该材料可以具有一种或多种掺杂剂以及附加成分，其基本上不改变In_xAl_yGa_1-x-yN材料的典型物理特性。然而，为了简单起见，上式仅包含晶格的基本成分(In、Al、Ga、N)，即使所述成分也可以部分地被少量的另外的物质替代。

半导体层序列包含具有至少一个pn结和/或一个或多个量子阱结构的有源层。在器件运行时，在有源层中产生电磁辐射。辐射的波长优选在紫外线和/或可见光范围内、尤其是波长在420nm(含)与680nm(含)之间、例如在440nm(含)与480nm(含)之间。

根据至少一种实施方式，光电子器件是发光二极管，简称为LED。器件优选设置用于发射紫外的、蓝色的、黄色的、绿色的、红色的、橙色的或白色的光。