[发明专利]用于制造光电子器件的方法和光电子器件

权利要求书

1.一种用于制造光电子器件(100)的方法，所述方法具有如下步骤：

A)在载体(7)上提供半导体层序列(1)，其中，所述半导体层序列(1)设置用于发射辐射，其中，所述半导体层序列(1)具有至少一个n型掺杂的半导体层(11)、至少一个p型掺杂的半导体层(12)和布置在所述p型和n型掺杂的半导体层(11、12)之间的有源层(13)，

B)将接触层(3)直接施加到所述半导体层序列(1)上，所述接触层(3)阻止或减少镜面层(4)的材料的扩散，其中，所述接触层(3)具有最大10nm的层厚度，

C)将所述镜面层(4)直接施加到所述接触层(3)上，并且

D)将势垒层(5)直接施加到所述镜面层(4)上，其中，

-所述接触层(3)由锌或氧化锌形成，

-所述镜面层(4)由银形成，其中，所述接触层(3)用作用于所述镜面层(4)的生长层，并且因此影响所述银镜面层(4)的晶粒尺寸分布和取向，并且

-所述接触层(3)和所述势垒层(5)具有不同的材料组成，其中，使用导电的金属氮化物来形成所述势垒层(5)。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述接触层(3)用作用于所述镜面层(4)的生长层。

3.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中，所述接触层(3)的层厚度小于所述势垒层(5)的层厚度。

4.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中，所述接触层(3)的层厚度比所述势垒层(5)的层厚度至少小1/20倍。

5.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中，所述接触层(3)的层厚度在0.05nm与3nm之间。

6.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中，所述接触层(3)包括透明导电氧化物或金属。

7.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中，所述接触层(3)具有氧化锌。

8.根据权利要求1至6中任一项所述的方法，其中，所述接触层(3)具有锌。

9.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中，所述接触层(3)成形为整面的单层。

10.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中，所述接触层(3)结构化地成形并且直接施加到所述p型掺杂的半导体层(12)上，其中，所述镜面层(4)直接后置于所述接触层(3)，并且所述镜面层(4)具有与所述接触层(3)相同的结构化。

11.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中，所述镜面层(4)具有反光的金属。

12.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中，所述半导体层序列(1)具有氮化铟镓或氮化镓。

13.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中，所述镜面元件(4)同时形成用于使所述p型掺杂的半导体层(12)触点接通的p型端子触点。

14.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中，所述接触层和势垒层(3、5)具有不同的材料。

15.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中，借助溅射产生所述接触层(3)。

16.一种光电子器件(100)，其由根据权利要求1至15中任一项所述的方法得到。