[发明专利]用于随机存取和铁电存储器的损耗均衡

说明书

本申请涉及用于随机存取和铁电存储器的损耗均衡。描述与用于随机存取和铁电存储器的损耗均衡相关的方法、系统和装置。例如铁电随机存取存储器FeRAM之类的非易失性存储器装置可以利用损耗均衡来通过避免由于循环能力有限引起的可靠性问题而延长存储器装置的寿命。可以通过放宽或避免对存储器阵列的同一部分内的源页面和目标页面的限制来扩展损耗平衡池或用于损耗平衡应用的单元数量。另外，在将数据从所述源页面移动到所述目标页面时，可以应用纠错码以避免复制所述源页面中存在的错误。

交叉引用

本专利申请要求Fackenthal等人在2018年8月23日提交的标题为“用于随机存取和铁电存储器的损耗均衡(Wear Leveling for Random Access and FerroelectricMemory)”的PCT申请第PCT/US2018/047790号的优先权，所述PCT申请要求Fackenthal等人在2017年8月30日提交的标题为“用于随机存取和铁电存储器的损耗均衡(Wear Levelingfor Random Access and Ferroelectric Memory)”的美国专利申请第15/691,454号的优先权，前述专利中的每一个被转让给本申请的受让人，并且其中每一个通过引用而明确地以整体并入本文。

技术领域

本技术领域涉及用于随机存取和铁电存储器的损耗均衡。

背景技术

以下总体上涉及存储器阵列，并且更具体地涉及用于随机存取和铁电存储器的损耗均衡。

存储器装置被广泛用于在诸如计算机、无线通信装置、相机、数字显示器等之类的各种电子装置中存储信息。通过对存储器单元的不同状态进行编程来存储信息。例如，二进制存储器单元具有两种状态，通常由逻辑“1”或逻辑“0”表示。在其它系统中，可以存储两种以上的状态。为了访问存储的信息，电子装置的部件可以读取或感测存储器单元中的存储状态。为了存储信息，电子装置的部件可以在存储器单元中写入状态或对所述状态进行编程。

存在各种类型的存储器装置，包含磁性硬盘、随机存取存储器(RAM)、只读存储器(ROM)、动态RAM(DRAM)、同步动态RAM(SDRAM)、铁电RAM(FeRAM)、磁性RAM(MRAM)、电阻性RAM(RRAM)、闪速存储器、相变存储器(PCM)、三维(3D)交叉点存储器(3D XPoint^TM存储器)、3D非与(NAND)存储器等等。存储器装置可以是易失性的或非易失性的。即使在缺少外部电源的情况下，非易失性存储器装置，例如FeRAM，也可以长时间维持其存储的逻辑状态。易失性存储器装置，例如DRAM，可能会随时间丢失其存储状态，除非它们由外部电源定期刷新。FeRAM可以使用与易失性存储器类似的装置架构，但是由于使用铁电电容器作为存储器装置而可以具有非易失性性质。与其它非易失性和易失性存储器装置相比，FeRAM装置因此可具有改善的性能。

通常，改善存储器装置可以包含增大存储器单元密度，提高读/写速度，提高可靠性，增加数据保留，减少功耗或降低制造成本等等指标。然而，在一些情况下，由于编程和擦除循环耐受能力有限而导致的对存储器单元可靠性的限制可能不利地影响客户体验的存储器装置的性能和寿命。

发明内容

描述一种方法。所述方法可以涉及在第一锁存器集合处从存储器阵列的第一部分接收第一数据集，其中所述第一锁存器集合与所述存储器阵列的所述第一部分相关联。所述方法可以涉及通过所述存储器阵列外部的外围中的纠错电路将所述第一数据集发送到第二锁存器集合，其中所述第二锁存器集合与所述存储器阵列的第二部分相关联；以及将所述第一数据集存储在所述存储器阵列的所述第二部分中。