[发明专利]用于随机存取和铁电存储器的损耗均衡有效

专利信息
申请号: 201880063585.8 申请日: 2018-08-23
公开(公告)号: CN111149165B 公开(公告)日: 2023-09-08
发明(设计)人: R·E·法肯索尔;D·维梅尔卡蒂;D·R·米尔斯 申请(专利权)人: 美光科技公司
主分类号: G11C11/22 分类号: G11C11/22
代理公司: 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 代理人: 王龙
地址: 美国爱*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 用于 随机存取 存储器 损耗 均衡
【权利要求书】:

1.一种操作电子存储器装置的方法,包括:

在第一锁存器集合处且作为损耗均衡操作的一部分,从存储器阵列的第一部分接收第一数据集,其中所述第一锁存器集合与所述存储器阵列的所述第一部分相关联;

通过在具有所述存储器阵列的芯片上的纠错电路将所述第一数据集发送到第二锁存器集合,所述纠错电路位于所述存储器阵列外部的外围中,其中所述第二锁存器集合与所述存储器阵列的第二部分相关联;以及

将所述第一数据集存储在所述存储器阵列的所述第二部分中。

2.根据权利要求1所述的方法,其中所述接收包括:

激活所述第一部分的存储器单元行,其中所述存储器单元行对应于所述第一数据集;

使用与所述第一部分相关联的第一感测部件集合来感测来自所述激活的存储器单元行所述第一数据集;以及

将所述第一数据集存储在所述第一锁存器集合中。

3.根据权利要求2所述的方法,进一步包括:

在将所述第一数据集保持在所述第一锁存器集合中的同时,停用所述第一部分的所述存储器单元行。

4.根据权利要求3所述的方法,进一步包括:

至少部分地基于停用与所述第二部分相关联的隔离装置来隔离所述存储器阵列的所述第二部分的存储器单元;以及

将所述第二部分的所述隔离的存储器单元行预写入第一逻辑状态。

5.根据权利要求4所述的方法,其中所述第一逻辑状态对应于逻辑状态一。

6.根据权利要求4所述的方法,其中所述发送包括:

将所述第一数据集从所述第一锁存器集合传输到所述纠错电路;

使所述纠错电路对所述第一数据集执行纠错操作;以及

将所述第一数据集从所述纠错电路传输到所述第二锁存器集合。

7.根据权利要求6所述的方法,进一步包括:

将所述第一数据集划分为多个数据子集;以及

通过所述纠错电路将所述多个数据子集中的每个子集依次发送到所述第二锁存器集合。

8.根据权利要求6所述的方法,其中:

发送所述第一数据集和预写入所述第二部分的所述隔离的存储器单元行同时发生。

9.根据权利要求6所述的方法,进一步包括:

在不预填充所述存储器阵列的所述第一部分的所述行的情况下关闭所述第一锁存器集合。

10.根据权利要求9所述的方法,进一步包括:

用所述第二锁存器集合中的所述第一数据集预填充所述存储器阵列的所述第二部分的所述预写入的行。

11.根据权利要求10所述的方法,其中所述预填充所述第二部分的所述预写入的行包括:

当所述第一数据集与所述预写入的第一逻辑状态不同时,写入第二逻辑状态。

12.根据权利要求11所述的方法,其中所述第二逻辑状态对应于逻辑状态零。

13.一种电子存储器装置,包括:

存储器阵列,其包括铁电存储器单元的多个部分,所述多个部分中的每个部分与感测部件集合和锁存器集合相关联;

在具有所述存储器阵列的芯片上的纠错电路,其位于所述存储器阵列外部的外围;以及

控制器,其与所述存储器阵列、所述感测部件集合、所述锁存器集合和所述纠错电路进行电子通信,其中所述控制器可操作以:

使第一锁存器集合从所述存储器阵列的第一部分接收第一数据集且作为损耗均衡操作的一部分,其中所述第一锁存器集合与所述存储器阵列的所述第一部分相关联;

通过所述纠错电路将所述第一数据集发送到第二锁存器集合,其中所述第二锁存器集合与所述存储器阵列的第二部分相关联;以及

将所述第一数据集存储在所述存储器阵列的所述第二部分中。

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