[发明专利]受控高度的碳纳米管阵列

权利要求书

1.一种用于生长碳纳米管阵列的方法，所述方法包括：

将层状矿物质氧化以制备剥离的层状矿物质；

将所述剥离的层状矿物质浸泡在包含铁盐、钴盐和镍盐的金属离子水溶液中以制备浸渍的层状矿物质；

煅烧所述浸渍的层状矿物质以制备负载的催化剂；和

在所述负载的催化剂上生长碳纳米管阵列，

其中所述金属离子水溶液还包含：(i) Mo或W的盐或它们的组合和(ii) Al或Mg的盐或它们的组合，并且在所述负载的催化剂中，Mo或W的离子在0.5重量%至10重量％的范围内，并且Mg或Al的离子在2重量%至20重量％的范围内，并且其中在所述金属离子水溶液中的铁与钴的摩尔比为200:1至1:5，在所述金属离子水溶液中的铁与镍的摩尔比为200:1至1:5，并且在所述金属离子水溶液中的钴与镍的摩尔比为10:1至1:10。

2.根据权利要求1所述的方法，其中所述铁盐包括选自由下列各项组成的组中的至少一个：硝酸铁(II)、硝酸铁(III)、氯化铁(II)、氯化铁(III)、溴化铁(II)、溴化铁(III)、氟化铁(II)、氟化铁(III)、硫酸铁(II)、硫酸铁(III)和它们的任意组合。

3.根据权利要求1-2中任一项所述的方法，其中所述钴盐包括选自由下列各项组成的组中的至少一个：硝酸钴(II)、氯化钴(II)、溴化钴(II)、氟化钴(II)、硫酸钴(II)和它们的任意组合。

4.根据权利要求1-2中任一项所述的方法，其中所述镍盐包括选自由下列各项组成的组中的至少一个：硝酸镍(II)、氯化镍(II)、溴化镍(II)、氟化镍(II)、硫酸镍(II)和它们的任意组合。

5.根据权利要求1所述的方法，其中所述Mo、W、Al、Mg中的一种或多种的盐选自Mo、W、Al、Mg的硝酸盐、氯化物盐、溴化物盐、氟化物盐、硫酸盐或它们的任意组合。

6.根据权利要求1-2中任一项所述的方法，所述方法还包括：将所述纳米管阵列与所述负载的催化剂分离。