[发明专利]阀装置、调整信息生成方法、流量调整方法、流体控制装置、流量控制方法、半导体制造装置和半导体制造方法

说明书

本发明提供一种不使用外部传感器或者使用尽可能少量的外部传感器，就能够精密地调整由经时、经年等引起的流量变动的阀装置。该阀装置具有：调整用驱动器(100)，其用于调整定位于开位置的操作构件的位置；通信部(210)，其从装置外部接收与由阀芯引起的流路的开度调整相关的调整信息；以及控制部(220)，其基于该调整信息驱动调整用驱动器(100)而调整操作构件的位置。

技术领域

本发明涉及一种阀装置、该阀装置的调整信息生成方法、流量调整方法、流体控制装置、流量控制方法、半导体制造装置和半导体制造方法。

背景技术

在半导体制造工艺中，使用称作集成化气体系统的流体控制装置，以向处理腔室供给准确地计量了的处理气体，该集成化气体系统集成有开闭阀、调节器、质量流量控制器等各种流体控制设备。将该集成化气体系统收纳于盒而成的装置称作气体盒。

通常，向处理腔室直接供给从上述的气体盒输出的处理气体，但在利用原子层沉积法(ALD：Atomic Layer Deposition法)在基板沉积膜的工艺中，为了稳定地供给处理气体，这样进行：在作为缓冲器的罐暂时地储存从气体盒供给的处理气体，高频率地使设于紧靠处理腔室的附近的阀开闭，向真空气氛的处理腔室供给来自罐的处理气体。另外，作为设于紧靠处理腔室的附近的阀，参照例如专利文献1、2。

ALD法是化学气相沉积法的一种，是这样的方法：在温度、时间等成膜条件下，使两种以上的处理气体在基板表面上交替地每次流动一种，与基板表面上原子进行反应，每次沉积单层的膜，能够对于每个单原子层进行控制，因此能够形成均匀的膜厚，对于膜质而言，也能够非常地致密地生成膜。

利用ALD法的半导体制造工艺需要精密地调整处理气体的流量，并且由于基板的大口径化等，也需要一定程度地确保处理气体的流量。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2007-64333号公报

专利文献2：日本特开2016-121776号公报

发明内容

发明要解决的问题

然而，在气动式阀中，难以利用气压调整、机械调整来精密地调整流量。另外，在利用ALD法的半导体制造工艺中，处理腔室周边为高温，因此阀易于受到温度的影响。此外，以高频率开闭阀，因此易于产生阀的经时、经年变化，流量调整作业需要庞大的工时。

另外，为了使用传感器对于每个阀装置检测阀开度的由经时、经年引起的变化，还存在需要确保设置传感器的空间、阀装置的小型化变得困难、阀装置的成本变高等问题。

本发明的一目的在于，提供一种不使用外部传感器或者使用尽可能少量的外部传感器，就能够精密地调整由经时、经年等引起的流量变动的阀装置。

本发明的另一目的在于，提供一种能够大幅地削减流量调整工时的阀装置。

本发明的又一目的在于，提供一种使用了上述的阀装置的流量调整方法、流体控制装置、半导体制造装置和半导体制造方法。

本发明的又一目的在于，提供一种生成用于上述的阀装置的调整信息的方法和装置。

用于解决问题的方案

本发明的阀装置具有：

阀体，其划定流路；

阀芯，其设为能够对所述阀体的流路进行开闭；

操作构件，其设为能够在使所述阀芯关闭流路的闭位置和使所述阀芯开放流路的开位置之间移动，而操作所述阀芯；