[发明专利]面发射半导体激光器

说明书

本发明提供面发射半导体激光器包括：半导体层叠构造，其包含第1导电型层、有源层和第2导电型层，在所述有源层产生的光沿着这些层的层叠方向谐振而作为激光从所述第2导电型层侧被输出；经由开口使所述有源层与所述第2导电型层电连接的电流缩窄层；对于所述有源层的发光波长具有透光性的绝缘层；与所述第1导电型层电连接的第1电极；和与所述第2导电型层电连接的第2电极，所述绝缘层的一部分从所述第2电极露出，该露出的所述绝缘层包括具有第1厚度的第1部分和具有第2厚度的包围所述第1部分的第2部分，所述第2厚度是与所述第1厚度相比能够使从所述有源层发出的光的输出比所述第1部分减少的厚度。

技术领域

本发明涉及面发射半导体激光器。

背景技术

已知一种光的谐振方向与衬底面垂直的面发射半导体激光器。

例如，专利文献1中公开有一种面发射半导体激光器，其包括：n型GaAs衬底；n型GaAs衬底上的n型多层膜布拉格反射层；n型多层膜布拉格反射层上的n型AlGaAs覆层；n型AlGaAs覆层上的多重量子阱有源层；多重量子阱有源层上的p型AlGaAs覆层；在p型AlGaAs覆层的中途所设置的p型AlAs选择氧化层；p型AlGaAs覆层上的p型多层膜布拉格反射层；p型多层膜布拉格反射层上的p型GaAs接触层；形成在p型GaAs接触层的表面的p侧电极；和形成在衬底背面的n侧电极。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2014-22690号公报。

发明内容

发明要解决的技术问题

在现有的面发射半导体激光器中，随着输入电力的增加，产生倾斜方向的光(高次模)，并且光的辐射角容易变大。因此，难以进行光学设计，例如作为测距传感器那样的传感器用途使用时光输出被限制。

因此，本发明的目的在于提供一种能够输出指向性更高的激光的面发射半导体激光器。

用于解决问题的技术手段

本发明的一个实施方式的面发射半导体激光器包括：半导体层叠构造，其包含第1导电型层、层叠在所述第1导电型层上的有源层和层叠在所述有源层上的第2导电型层，在所述有源层产生的光沿着这些层的层叠方向谐振而作为激光从所述第2导电型层侧被输出；绝缘性的电流缩窄层，其形成在所述有源层上的比所述第2导电型层的表面靠所述有源层侧的位置，且具有开口，所述有源层与所述第2导电型层经由所述开口电连接；绝缘层，其形成在所述第2导电型层上，且对于所述有源层的发光波长具有透光性；与所述第1导电型层电连接的第1电极；和第2电极，其形成在所述绝缘层上，且贯穿所述绝缘层而与所述第2导电型层电连接，所述绝缘层的一部分从所述第2电极露出，该露出的所述绝缘层包括具有第1厚度的第1部分和具有第2厚度的包围所述第1部分的第2部分，所述第2厚度是与所述第1厚度相比能够使所述第2部分中的从所述有源层发出的光的输出比所述第1部分减少的厚度。

附图说明

图1是本发明的一个实施方式的面发射半导体激光器的示意性的平面图。

图2是图1的II-II剖切线的上述面发射半导体激光器的示意性的剖视图。

图3是图1的III-III剖切线的上述面发射半导体激光器的示意性的剖视图。

图4是图1的IV-IV剖切线的上述面发射半导体激光器的示意性的剖视图。

图5是图1的台式构造部的示意性的放大立体图。

图6是图1的台式构造部的示意性的放大平面图。

图7是图6的VII-VII剖切线的上述台式构造部的示意性的剖视图。

图8是由图7的双点划线VIII包围的部分的放大图。