[发明专利]面发射半导体激光器

权利要求书

1.一种面发射半导体激光器，其特征在于，包括：

半导体层叠构造，其包含第1导电型层、层叠在所述第1导电型层上的有源层和层叠在所述有源层上的第2导电型层，在所述有源层产生的光沿着这些层的层叠方向谐振而作为激光从所述第2导电型层侧被输出；

绝缘性的电流缩窄层，其形成在所述有源层上的比所述第2导电型层的表面靠所述有源层侧的位置，且具有开口，所述有源层与所述第2导电型层经由所述开口电连接；

绝缘层，其形成在所述第2导电型层上，且对于所述有源层的发光波长具有透光性；

与所述第1导电型层电连接的第1电极；和

第2电极，其形成在所述绝缘层上，且贯穿所述绝缘层而与所述第2导电型层电连接，

所述绝缘层的一部分从所述第2电极露出，该露出的所述绝缘层包括具有第1厚度的第1部分和具有第2厚度的包围所述第1部分的第2部分，所述第2厚度是与所述第1厚度相比能够使从所述有源层发出的光的输出比所述第1部分减少的厚度，

所述第2导电型层包括：第2导电型DBR(Distributed Bragg Reflector，分布布拉格反射)层；和形成在所述第2导电型DBR层上且具有使所述第2导电型DBR层的一部分露出的开口的第2导电型接触层，

从所述第2电极露出的所述绝缘层包括环状的凹部和由所述环状的凹部包围的第1凸部，

所述绝缘层的所述第1厚度是从所述绝缘层的背面至所述第1凸部的正面的厚度，

所述绝缘层的所述第2厚度是从所述绝缘层的背面至所述环状的凹部的底面的厚度，

所述绝缘层的一部分经由所述第2导电型接触层的所述开口而与所述第2导电型DBR层连接，

所述第2导电型接触层的所述开口的直径比所述电流缩窄层的所述开口的直径小，

所述第2导电型接触层具有第1部分，该第1部分在俯视时位于所述电流缩窄层的内周端的内侧，

所述绝缘层的所述第1凸部和所述环状的凹部形成在所述电流缩窄层的所述开口的内侧区域。

2.如权利要求1所述的面发射半导体激光器，其特征在于：

所述第1导电型层包括第1导电型DBR(Distributed Bragg Reflector，分布布拉格反射)层。

3.如权利要求1或2所述的面发射半导体激光器，其特征在于：

从所述第2电极露出的所述绝缘层还包括在所述环状的凹部的外周侧包围所述环状的凹部的第2凸部，

所述环状的凹部划分于所述第1凸部与所述第2凸部之间，所述环状的凹部的内面包括由所述第1凸部形成的第1侧面和由所述第2凸部形成的第2侧面。

4.如权利要求3所述的面发射半导体激光器，其特征在于：

所述环状的凹部的所述第1侧面和所述第2侧面包括在剖视时相对于所述第2导电型层的表面倾斜的倾斜面，使得所述环状的凹部成为随着向所述环状的凹部的底面去而宽度变窄的锥形形状。

5.如权利要求1或2所述的面发射半导体激光器，其特征在于：

所述第2电极具有使所述绝缘层的一部分露出的激光振荡用的开口，

所述环状的凹部以扩展至所述激光振荡用的开口的端面的方式形成，所述环状的凹部的内表面包括由所述第1凸部形成的第1侧面和由所述激光振荡用的开口的端面形成的第2侧面。

6.如权利要求1或2所述的面发射半导体激光器，其特征在于：

所述绝缘层包含由单一材料形成的单层膜。

7.如权利要求6所述的面发射半导体激光器，其特征在于：

所述单层膜由氧化硅(SiO₂)膜或者氮化硅(SiN)膜形成。

8.如权利要求1或2所述的面发射半导体激光器，其特征在于：

所述绝缘层包括多层膜，所述多层膜包括：构成所述第1凸部的第1材料层；和构成所述第1凸部的下方部的由与所述第1材料层不同的材料形成的第2材料层。