[发明专利]存储器阵列重置读取操作

说明书

本发明描述与重置读取相关的系统、装置及方法。可使用重置读取以起始存储器阵列的部分至第一状态的转变或将存储器阵列的部分维持在例如瞬时状态的第一状态下。重置读取可提供高度并行化、高能效选项以确保存储器块处于所述第一状态下。重置读取的各种模式可根据不同输入而配置。

交叉参考

本专利申请案主张Binfet等人于2017年8月28日申请的名为“存储器阵列重置读取操作(Memory Array Reset Read Operation)”的第15/688,645号美国专利申请案的优先权，所述美国专利申请案转让给本受让人且其全文是以引用的方式明确地并入。

背景技术

下文大体上涉及一种系统及存储器装置，且更特定地说，涉及一种三维(three-dimensional，3D)与非(Not-AND，NAND)存储器上的重置读取操作。

系统可包含经由一或多个总线耦合以在例如计算机、无线通信装置、物联网、相机、数字显示器等等的多个电子装置中管理信息的各种种类的存储器装置及控制器。存储器装置广泛地用以在此类电子装置中存储信息。通过编程存储器单元的不同状态来存储信息。举例来说，二进制存储器单元具有两个状态，通常被表示为逻辑“1”或逻辑“0”。多于两个状态可存储于存储器单元中。为了存取所存储信息，电子装置的组件可读取或感测存储器装置中的所存储状态。为了存储信息，电子装置的组件可在存储器装置中写入或编程状态。

存在各种类型的存储器装置，包含磁性硬盘、随机存取存储器(random accessmemory，RAM)、只读存储器(read only memory，ROM)、动态RAM(dynamic RAM，DRAM)、同步动态RAM(synchronous dynamic RAM，SDRAM)、铁电RAM(ferroelectric RAM，FeRAM)、磁性RAM(magnetic RAM，MRAM)、电阻性RAM(resistive RAM，RRAM)、快闪存储器、相变存储器(phasechange memory，PCM)、3维交叉点存储器(3-dimensional cross-point memory，3DXPoint^TM memory)、3维NAND(3-dimensional NAND，3D NAND)存储器等等。存储器装置可为易失性的或非易失性的。非易失性存储器单元，例如3D NAND存储器单元，可甚至在不存在外部电源的情况下仍历时延长的时间段而维持其所存储逻辑状态。除非易失性存储器电池，例如DRAM电池，由外部电源周期性地刷新，否则所述电池会随时间推移而失去其所存储状态。3D NAND存储器装置相比于其它非易失性及易失性存储器装置可具有提高的性能。

大体来说，改进存储器装置可包含增大存储器单元密度、提高读取/写入速度、增强可靠性、延长数据保持、降低功率消耗或缩减制造成本，以及其它度量。存储器装置的此改进可产生提高的系统性能。然而，在一些状况下，存储器单元的阈值电压分布的扩宽会产生会不利地影响系统性能的提高的读取窗口预算及提高的位误差率。

附图说明

本文中的揭示内容涉及且包含以下各图：

图1展示根据本发明的各种实施例的支持存储器阵列重置读取操作的实例存储器装置。

图2展示根据本发明的各种实施例的支持存储器阵列重置读取操作的3D NAND存储器阵列的示范性图式。

图3展示根据本发明的各种实施例的支持存储器阵列重置读取操作的3D NAND存储器单元的示范性图式。

图4展示根据本发明的各种实施例的支持存储器阵列重置读取操作的3D NAND存储器单元的示范性横截面图。

图5展示根据本发明的各种实施例的支持存储器阵列重置读取操作的3D NAND存储器阵列的示范性图式。

图6绘示根据本发明的实施例的支持存储器阵列重置读取操作的电路的实例。