[发明专利]存储器阵列重置读取操作

权利要求书

1.一种方法，其包括：

识别用于将存储器阵列的至少一个部分设置为临时状态的读取命令的部分；

至少部分地基于所述读取命令的所述部分而识别所述存储器阵列的所述至少一个部分；及

至少部分地基于识别所述存储器阵列的所述至少一个部分而对所述存储器阵列的所述至少一个部分执行所述读取命令的所述部分。

2.根据权利要求1所述的方法，其中执行所述读取命令的所述部分包括：

执行读取操作的读取恢复部分，其中所述读取操作包括所述读取恢复部分及数据感测部分。

3.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括：

将施加至与所述至少一个部分相关联的所有字线的电压增大至高于所述至少一个部分的存储器单元的阈值电压的第一电压；

将施加至所述至少一个部分的至少一个选择栅极装置的至少一个栅极的电压增大至高于所述至少一个选择栅极装置的第二阈值电压的第二电压；及

将施加至所述至少一个部分的源极、漏极、位线或其组合的电压设置为第三电压。

4.根据权利要求3所述的方法，其进一步包括：

至少部分地基于达到所述第一电压而将施加至所有字线的所述电压从所述第一电压减小至第四电压；及

至少部分地基于减小施加至所有字线的所述电压而将施加至所述至少一个选择栅极装置的所述至少一个栅极的所述电压从所述第二电压减小至低于所述第二阈值电压。

5.根据权利要求1所述的方法，其中所述临时状态包括：

所述至少一个部分的存储器单元的瞬时状态，其包含在执行所述读取命令的所述部分之后将所述存储器单元的字线与沟道电位差保持在低于所述存储器单元的源极、漏极、位线或其组合的电压的电平下。

6.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括：

确定自所述至少一个部分的最后读取操作以来的持续时间，其中识别所述存储器阵列的所述至少一个部分是至少部分地基于确定所述持续时间。

7.根据权利要求1所述的方法，其中所述至少一个部分对应于所述存储器阵列的单个块。

8.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括：

确定执行所述读取命令的所述部分的模式，其中执行所述读取命令的所述部分是至少部分地基于确定所述模式。

9.根据权利要求8所述的方法，其进一步包括：

识别所述存储器阵列的产品设计识别，其中确定所述模式包括确定所述存储器阵列的数个部分，将至少部分地基于所述产品设计识别而对所述数个部分执行所述读取命令的所述部分。

10.根据权利要求9所述的方法，其进一步包括：

至少部分地基于确定所述数个部分而对所述存储器阵列的多个部分同时执行所述读取命令的所述部分。

11.根据权利要求10所述的方法，其中所述多个部分包括所述存储器阵列的总数目个块。

12.根据权利要求1所述的方法，其中所述存储器阵列包括：

至少一个三维与非NAND存储器单元。

13.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括：

接收执行所述读取命令的请求；及

至少部分地基于接收到所述请求而起始所述读取命令的所述部分。

14.根据权利要求13所述的方法，其进一步包括：

识别与所述读取命令的所述部分相关联的设置特征及修整条件；及

至少部分地基于识别所述设置特征及所述修整条件而确定用于执行所述读取命令的所述部分的配置，其中执行所述读取命令的所述部分是至少部分地基于确定所述配置。