[发明专利]有机电子器件的制造方法在审
| 申请号： | 201880062009.1 | 申请日： | 2018-09-28 |
| 公开（公告）号： | CN111133837A | 公开（公告）日： | 2020-05-08 |
| 发明（设计）人： | 下河原匡哉;森岛进一;藤井贵志;增山学 | 申请（专利权）人： | 住友化学株式会社;味之素株式会社 |
| 主分类号： | H05B33/10 | 分类号： | H05B33/10;H01L51/50;H05B33/04 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 葛凡 |
| 地址： | 日本国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 有机 电子器件 制造 方法 | ||
1.一种有机电子器件的制造方法，所述制造方法具备：
器件基材形成工序，形成在基板上依次设置第1电极、包含有机层的器件功能部、和第2电极而得的器件基材；
脱水工序，将带有保护膜的密封构件脱水，所述带有保护膜的密封构件是在密封基材层叠粘接层而得到密封构件、并在所得的密封构件经由所述粘接层层叠保护膜而得；以及
密封构件贴合工序，从经过所述脱水工序的所述带有保护膜的密封构件剥离所述保护膜，经由所述粘接层将所述密封构件贴合于所述器件基材，
所述带有保护膜的密封构件的所述粘接层相对于所述保护膜的剥离强度为0.06N/20mm～0.3N/20mm。
2.根据权利要求1所述的有机电子器件的制造方法，其中，
所述脱水工序中，通过向所述带有保护膜的密封构件照射红外线而将所述带有保护膜的密封构件脱水。
3.根据权利要求1或2所述的有机电子器件的制造方法，其中，
所述粘接层包含吸湿剂。
4.根据权利要求1～3中任一项所述的有机电子器件的制造方法，其中，
所述保护膜的厚度为50μm以下。
5.根据权利要求1～3中任一项所述的有机电子器件的制造方法，其中，
所述保护膜的厚度为7μm以上且25μm以下，
所述剥离强度为0.06N/20mm～0.18N/20mm。
6.根据权利要求1～5中任一项所述的有机电子器件的制造方法，其中，
所述密封基材的材料包含铝或铜。
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