[发明专利]混合材料CMP后刷及其形成方法

说明书

公开了混合材料CMP后刷及其形成方法。混合材料CMP后刷的实施例可以包括至少两层，其中该混合式刷用于清洁各种表面，例如半导体衬底的表面。用于清洁表面的示例性混合式刷包括心轴、围绕心轴形成的模制的第一层，和围绕模制的第一层的模制的第二层，其中模制的第一层包括第一材料，其中模制的第二层包括第二材料。

相关申请

本国际专利申请要求2017年9月22日提交的题为“Hybrid Material Post-CMPBrushes and Methods for Forming the Same”的美国专利申请序列号15/712,212的优先权。美国专利申请序列号15/712,212的全部内容通过引用并入本文中。

背景技术

本公开涉及用于清洁衬底的刷，更具体地，涉及混合材料CMP后刷及其形成方法。

在半导体制造工业和其它工业中，刷用于从表面去除污染物，例如从半导体晶片去除污染物。从制造商收到的传统的刷处于不能立即使用的条件下。反而，刷通常在用于预期产品之前被适应调节(或“磨合”)以从该刷上去除微粒。

通过将这些方法与参照附图在本公开的其余部分中阐述的本方法和系统的一些方面进行比较，常规刷的限制和缺点对于本领域技术人员将变得显而易见。

发明内容

本公开公开了混合材料CMP后刷及其形成方法，基本上如由至少一幅附图所示和结合至少一幅附图所述，并且如在权利要求书中更完整地阐述。

附图说明

从以下结合附图对示例性实施例的描述中，这些和其它方面将变得显而易见且更容易理解。

图1示出了根据本公开的方面清洁表面的混合式刷的示例图示。

图2A示出了根据本公开的方面示例性混合式刷的剖视图。

图2B示出了根据本公开的方面另一个示例性混合式刷的剖视图。

图3示出了根据本公开的方面图2A的混合式刷的相邻层的示例布置。

图4示出了根据本公开的方面图2A的混合式刷的相邻层的另一示例布置。

图5示出了根据本公开的方面形成混合式刷的示例方法的流程图。

图6示出了根据本公开的方面形成混合式刷的示例方法的流程图。

图7示出了根据本公开的方面形成混合式刷的示例方法的流程图。

图8示出了根据本公开的方面形成混合式刷的示例方法的流程图。

附图不一定按比例绘制。适当时，相似或相同的附图标记用于表示相似或相同的部件。

具体实施方式

各种应用可以受益于对表面的物理清洁。例如，在半导体制造中，在晶片上制造电子电路的一个或多个阶段期间，可以清洁半导体晶片以去除潜在破坏性污染物。清洁可以通过例如与待清洁表面接触的刷来提供。电子系统中使用的装置的其它表面也可以受益于清洁。例如，这可能是其中一层需要清洁，然后可以将另一层置于其上面。例如，显示屏和/或触摸屏可以在添加下一层之前利用清洁过程。

因此，应当理解，尽管本公开的各种实施例可以用于不同的应用，但是为了便于描述，在本公开中将示例性参考用于清洁半导体晶片表面的刷。

在半导体晶片的制造过程期间，大量污染物可能以例如有机和/或无机颗粒的形式存在于半导体晶片表面上。这些污染物可能导致设备失效和晶片成品率差。此外，对于每个新的半导体技术节点，半导体晶片上的缺陷的临界尺寸和半导体晶片上的缺陷的可容许数量变得更小。