[发明专利]混合材料CMP后刷及其形成方法在审
申请号: | 201880060561.7 | 申请日: | 2018-08-23 |
公开(公告)号: | CN111095515A | 公开(公告)日: | 2020-05-01 |
发明(设计)人: | 布拉德利·斯科特·威瑟斯;罗煜焱;埃里克·斯科特·纳尔逊;布伦特·艾伦·贝斯特 | 申请(专利权)人: | 伊利诺斯工具制品有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 上海脱颖律师事务所 31259 | 代理人: | 脱颖 |
地址: | 美国伊*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 混合 材料 cmp 及其 形成 方法 | ||
1.一种用于清洁表面的混合式刷,包括:
心轴;
围绕所述心轴形成的模制的第一层,其中所述模制的第一层包含第一材料;以及
围绕所述模制的第一层模制的第二层,其中所述模制的第二层包括第二材料。
2.根据权利要求1所述的混合式刷,其中与所述模制的第二层相比,所述模制的第一层在较小的力下压缩。
3.根据权利要求1所述的混合式刷,其中所述模制的第一层不包含淀粉模板剂并且所述模制的第二层包含淀粉模板剂。
4.根据权利要求1所述的混合式刷,其中所述模制的第一层和所述模制的第二层中的一者或两者的相应外表面基本上没有突起。
5.根据权利要求1所述的混合式刷,其中所述第一材料包括第一聚乙酸乙烯酯制剂,并且所述第二材料包括第二聚乙酸乙烯酯制剂。
6.根据权利要求1所述的混合式刷,其中压缩所述模制的第一层的力,在所述模制的第一层干燥时与当所述模制的第一层被用于清洁所述表面的清洁流体润湿时,基本上相同。
7.根据权利要求1所述的混合式刷,其中所述模制的第一层的第一孔分布不同于所述模制的第二层的第二孔分布。
8.根据权利要求1所述的混合式刷,其中所述模制的第一层的厚度与所述模制的第二层的厚度无关联。
9.根据权利要求1所述的混合式刷,还包括第三层,所述第三层在所述模制的第一层和所述模制的第二层之间。
10.一种用于形成用于清洁表面的混合式刷的方法,包括:
将心轴放置在第一模具中;
通过将第一材料注入到所述第一模具中而围绕所述心轴形成第一层;
从所述第一模具移除所述第一层和所述心轴;
将所述第一层和所述心轴放入第二模具中;以及
通过将第二材料注入所述第二模具中而包围所述第一层形成所述第二层。
11.根据权利要求10所述的方法,还包括在形成所述第二层之前包围所述第一层而形成第三层。
12.根据权利要求10所述的方法,其中所述第一模具在所述第一层的外表面上形成凹陷。
13.根据权利要求12所述的方法,其中在所述第一层的外表面处的每个所述凹陷的第一横截面积小于在所述第一层的所述外表面下的每个所述凹陷的第二横截面积。
14.根据权利要求10所述的方法,其中与所述第二层相比,所述第一层以更小的力来压缩。
15.根据权利要求10所述的方法,其中所述第一材料不包含聚乙酸乙烯酯制剂。
16.根据权利要求10所述的方法,其中所述第二材料包含淀粉模板剂。
17.根据权利要求10所述的方法,其中所述第一材料不包含淀粉模板剂。
18.根据权利要求10所述的方法,其中所述第一层包含比所述第二层更大的孔。
19.根据权利要求10所述的方法,包括在将所述心轴和所述第一层从所述第一模具移除之后,在将所述心轴和所述第一层放入所述第二模具中之前,处理所述第一层。
20.根据权利要求10所述的方法,其中所述第一层和所述第二层中的一者或两者的相应外表面基本上没有突起。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
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