[发明专利]近红外线截止滤光片的制造方法、层叠体及套件

权利要求书

1.一种近红外线截止滤光片的制造方法，包括：

在基板的表面形成支承体层的工序；

在所述支承体层的表面涂布包含近红外线吸收剂的近红外线吸收组合物而形成近红外线吸收组合物层的工序；

对所述近红外线吸收组合物层进行固化处理而形成近红外线截止滤光片层的工序；

从所述基板剥离所述支承体层与所述近红外线截止滤光片层的层叠体的工序；及

从由所述基板剥离的层叠体剥离所述支承体层的工序。

2.根据权利要求1所述的近红外线截止滤光片的制造方法，其中，

所述基板的平面度为14μm以下，并且所述基板在23℃下的每1mm宽度的弯曲刚性大于所述支承体层的弯曲刚性。

3.根据权利要求1或2所述的近红外线截止滤光片的制造方法，其中，

所述支承体层包含高分子薄膜。

4.根据权利要求3所述的近红外线截止滤光片的制造方法，其中，

所述高分子薄膜的软化温度高于所述近红外线吸收组合物层的固化处理时的最高到达温度。

5.根据权利要求3或4所述的近红外线截止滤光片的制造方法，其中，

所述高分子薄膜在23℃下的断裂伸长率为5％以上且高于近红外线截止滤光片层的断裂伸长率，

所述高分子薄膜在23℃下的每1mm宽度的弯曲刚性为4×10^-6Pa·m⁴以下且小于近红外线截止滤光片层的每1mm宽度的弯曲刚性。

6.根据权利要求1至5中任一项所述的近红外线截止滤光片的制造方法，其中，

所述支承体层在近红外线截止滤光片层侧的剥离力为9N/25mm以下。

7.根据权利要求1至6中任一项所述的近红外线截止滤光片的制造方法，其中，

所述支承体层在所述基板侧的剥离力为15.5N/25mm以下。

8.根据权利要求1至7中任一项所述的近红外线截止滤光片的制造方法，其中，

所述支承体层在所述近红外线截止滤光片层侧的剥离力大于在所述基板侧的剥离力。

9.根据权利要求1至7中任一项所述的近红外线截止滤光片的制造方法，其中，

所述支承体层在所述近红外线截止滤光片层侧的剥离力小于在所述基板侧的剥离力。

10.根据权利要求1至7中任一项所述的近红外线截止滤光片的制造方法，其中，

所述支承体层在所述近红外线截止滤光片层侧的剥离力与在所述基板侧的剥离力相同。

11.根据权利要求1至10中任一项所述的近红外线截止滤光片的制造方法，其中，

形成所述近红外线吸收组合物层的工序中，在所述支承体层的表面涂布近红外线吸收组合物而形成近红外线吸收组合物层，并且在所述支承体层的表面的至少一部分形成未设置有所述近红外线吸收组合物层的空白部。

12.根据权利要求1至11中任一项所述的近红外线截止滤光片的制造方法，其中，

所述支承体层的膜厚为1μm～1000μm。

13.根据权利要求1至12中任一项所述的近红外线截止滤光片的制造方法，其中，

所述近红外线截止滤光片层的膜厚为1μm～500μm。

14.根据权利要求1至13中任一项所述的近红外线截止滤光片的制造方法，其中，

所述近红外线截止滤光片层在23℃下的每1mm宽度的弯曲刚性为5×10^-6Pa·m⁴以下，并且在23℃下的断裂伸长率为10％以下。