[发明专利]利用高密度金属布线的技术中的高性能单元设计

说明书

在某些方面，一种半导体管芯包括第一掺杂区、第二掺杂区和由第一中间线(MOL)层形成的互连件，其中互连件将第一掺杂区电耦合到第二掺杂区。半导体管芯还包括由第一互连金属层形成的第一金属线和将互连件电耦合到第一金属线的第一通孔。

相关申请的交叉引用

本申请要求于2017年9月18日在美国专利商标局提交的非临时专利申请序列号15/707,807的优先权和权益，其全部内容如同在下面完整地阐述其整体并且出于所有适用目的而并入本文。

技术领域

本公开的各方面一般地涉及管芯上的金属布线，并且更具体地涉及减小由高密度金属布线引起的寄生电容。

背景技术

半导体管芯通常包括许多单元，其中每个单元包括被互连来形成电路(例如，逻辑门)的两个或更多个晶体管。在深亚微米技术中，单元内的金属布线密度高。高密度金属布线会导致严重的寄生电容，其对单元性能产生负面影响。

发明内容

以下给出了一个或多个实施例的简化发明内容以便提供对这样的实施例的基本理解。此发明内容不是所有预期实施例的详尽概述，并且既不旨在标识所有实施例的关键或重要元件，也不旨在描绘任何或所有实施例的范围。其唯一目的是以简化的形式呈现一个或多个实施例的一些概念，以作为稍后呈现的更详细的具体实施方式的序言。

根据第一方面，提供了一种半导体管芯。该半导体管芯包括第一掺杂区、第二掺杂区和由第一中间线(MOL)层形成的互连件，其中互连件将第一掺杂区电耦合到第二掺杂区。该半导体管芯还包括由第一互连金属层形成的第一金属线和将互连件电耦合到第一金属线的第一通孔。

根据第二方面，提供了一种半导体管芯。该半导体管芯包括具有漏极的N型场效应晶体管(NFET)、具有漏极的P型场效应晶体管(PFET)和由第一中间线(MOL)层形成的互连件，其中互连件将NFET的漏极电耦合到PFET的漏极。该半导体管芯还包括由第一互连金属层形成的第一金属线和将互连件电耦合到第一金属线的第一通孔。

附图说明

图1示出了根据本公开的某些方面的导致寄生电容的单元内的金属布线的示例的侧视图。

图2A示出了根据本公开的某些方面的单元内的金属布线的一部分的俯视图。

图2B示出了根据本公开的某些方面的单元内的金属布线的另一部分的俯视图。

图3示出了根据本公开的某些方面的具有减小的寄生电容的单元内的金属布线的示例的侧视图。

图4A示出了根据本公开的某些方面的图3中的金属布线的一部分的俯视图。

图4B示出了根据本公开的某些方面的图3中的金属布线的另一部分的俯视图。

图5A示出了根据本公开的某些方面的具有减小的寄生电容的金属布线的第二示例的一部分的俯视图。

图5B示出了根据本公开的某些方面的金属布线的第二示例的另一部分的俯视图。

图6A示出了根据本公开的某些方面的具有减小的寄生电容的金属布线的第三示例的一部分的俯视图。

图6B示出了根据本公开的某些方面的金属布线的第三示例的另一部分的俯视图。

具体实施方式

结合附图在下面阐述的具体实施方式旨在作为各种配置的描述，并且并非旨在表示可以实践本文描述的概念的唯一配置。为了提供对各种概念的透彻理解，具体实施方式包括具体细节。然而，对于本领域技术人员将显而易见的是，可以在没有这些具体细节的情况下实践这些概念。在某些情况下，以框图形式示出了公知的结构和部件，以避免使这些概念模糊。