[发明专利]利用高密度金属布线的技术中的高性能单元设计

权利要求书

1.一种半导体管芯，包括：

第一掺杂区；

第二掺杂区；

互连件，由第一中间线(MOL)层形成，其中所述互连件将所述第一掺杂区电耦合到所述第二掺杂区；

第一金属线，由第一互连金属层形成；以及

第一通孔，将所述互连件电耦合到所述第一金属线。

2.根据权利要求1所述的半导体管芯，其中所述第一掺杂区包括N型掺杂区，并且所述第二掺杂区包括P型掺杂区。

3.根据权利要求1所述的半导体管芯，进一步包括：

第一接触件，在所述第一掺杂区之上；以及

第二接触件，在所述第二掺杂区之上；

其中所述互连件电耦合到所述第一接触件和所述第二接触件。

4.根据权利要求3所述的半导体管芯，其中所述第一接触件和所述第二接触件由所述第一MOL层形成。

5.根据权利要求3所述的半导体管芯，其中所述互连件在横向方向上与所述第一接触件和所述第二接触件间隔开，并且所述半导体管芯进一步包括：

第一桥，在所述第一接触件和所述互连件之间，其中所述第一桥将所述第一接触件电耦合到所述互连件；以及

第二桥，在所述第二接触件和所述互连件之间，其中所述第二桥将所述第二接触件电耦合到所述互连件。

6.根据权利要求5所述的半导体管芯，其中所述第一接触件和所述第二接触件、所述第一桥和所述第二桥以及所述互连件共面。

7.根据权利要求5所述的半导体管芯，其中所述第一接触件和所述第二接触件由所述第一MOL层形成，并且所述第一桥和所述第二桥由第二MOL层形成。

8.根据权利要求7所述的半导体管芯，进一步包括：

栅极；

栅极接触件，在所述栅极之上，其中所述栅极接触件由所述第二MOL层形成；

第二金属线，由所述第一互连金属层形成；以及

第二通孔，将所述栅极接触件电耦合到所述第二金属线。

9.根据权利要求8所述的半导体管芯，其中所述第一金属线和所述第二金属线沿公共线延伸，并且所述第一金属线和所述第二金属线由间隙间隔开。

10.根据权利要求8所述的半导体管芯，其中所述第一金属线和所述第二金属线在同一横向方向上延伸。

11.根据权利要求1所述的半导体管芯，进一步包括：

栅极；

栅极接触件，在所述栅极之上；

第二金属线，由所述第一互连金属层形成；以及

第二通孔，将所述栅极接触件电耦合到所述第二金属线。

12.根据权利要求11所述的半导体管芯，其中所述第一金属线和所述第二金属线沿公共线延伸，并且所述第一金属线和所述第二金属线由间隙间隔开。

13.根据权利要求11所述的半导体管芯，其中所述第一金属线和所述第二金属线在同一横向方向上延伸。

14.根据权利要求11所述的半导体管芯，进一步包括：

输入金属线，由第二互连金属层形成；

第三通孔，将所述第二金属线电耦合到所述输入金属线；

输出金属线，由所述第二互连金属层形成；以及

第四通孔，将所述第一金属线电耦合到所述输出金属线。

15.根据权利要求14所述的半导体管芯，其中所述第一掺杂区包括NFET的N型掺杂区，并且所述第二掺杂区包括PFET的P型掺杂区。