[发明专利]表面处理装置及表面处理方法在审

专利信息
申请号: 201880059714.6 申请日: 2018-08-23
公开(公告)号: CN111094635A 公开(公告)日: 2020-05-01
发明(设计)人: 奥田朋士;松山大辅;立花真司;内海雅之 申请(专利权)人: 上村工业株式会社
主分类号: C25D17/00 分类号: C25D17/00;B05C3/04;B05D1/18;C23C18/16;C23C18/31;C25D7/00;C25D7/12;C25D17/08;C25D21/10
代理公司: 北京润平知识产权代理有限公司 11283 代理人: 戴香芸;刘兵
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 表面 处理 装置 方法
【说明书】:

本发明提供一种在对被处理物实施表面处理时,可以提高表面处理品质的表面处理装置及表面处理方法。该表面处理装置是对至少一部分浸渍在液体中的被处理物进行表面处理的装置,该装置具有向被处理物的被处理面喷射处理液的喷射部,所述喷射部与所述被处理物相对设置,并且该装置具有喷射部旋转机构和被处理物旋转机构中的至少一者,所述喷射部旋转机构使所述喷射部在与所述被处理物的被处理面平行的面内旋转,所述被处理物旋转机构使所述被处理物在与从所述喷射部喷射的处理液的喷射方向垂直的面内旋转。

技术领域

本发明涉及对印刷电路板、半导体、晶片等被处理物实施表面处理的装置及方法。表面处理除了对被处理物实施电镀等的被覆处理以外,还包括从被处理物除去机械加工时等附着的树脂残渣等的去污处理、对被处理物实施规定处理之前的前处理、实施规定处理之后的后处理、在各处理的前后根据需要进行的清洗处理等。

背景技术

印刷电路板、半导体、晶片等通过对被处理物进行期望的机械加工等之后,进行去污处理,实施镀覆等被覆处理而得到。另外,在各处理的前后,根据需要进行前处理或后处理,有时也进行清洗处理。这样的各处理是将被处理物装入处理槽,以将被处理物的至少一部分或全部浸渍在液体中的状态进行。例如,作为对印刷电路板等板状工件进行电镀的技术,已知有专利文献1的技术。专利文献1的技术是本申请人以前提出的,记载了为了提高电镀处理的品质,在表面处理装置或电镀槽中设置向被处理物喷出镀覆处理液的喷出机构。

现有技术文件

专利文献

专利文献1:日本发明专利公开公报特开2013-11004号

发明内容

在实施各种处理的印刷电路板、半导体、晶片等的表面上形成有通孔(层间连接孔)、沟槽(配线槽)等,为了应对半导体装置的高集成化,通孔的直径、沟槽的宽度有减少的倾向。另一方面,通孔的深度相对于直径之比(通孔的深度/直径)和沟槽的深度相对于宽度之比(通孔的深度/宽度)有增加的倾向。因此,即使对印刷电路板、半导体、晶片等的表面实施处理,处理液或清洗液也不能充分浸透到通孔或沟槽的内部,有时会产生处理不均。

本发明是着眼于上述情况而完成的,其目的在于提供一种在对被处理物实施表面处理时可以提高表面处理品质的表面处理装置及表面处理方法。

可以解决上述课题的本发明的第一表面处理装置是对至少一部分浸渍在液体中的被处理物实施表面处理的装置,其特征在于,该装置具有向被处理物的被处理面喷射处理液的喷射部,所述喷射部与所述被处理物相对设置,并且该装置具有喷射部旋转机构和被处理物旋转机构中的至少一者,所述喷射部旋转机构使所述喷射部在与所述被处理物的被处理面平行的面内旋转,所述被处理物旋转机构使所述被处理物在与从所述喷射部喷射的处理液的喷射方向垂直的面内旋转。

在上述第一表面处理装置中,优选使所述被处理物或所述喷射部中的至少一者以平均旋转速度100-3000mm/分钟旋转。另外,优选所述被处理物或所述喷射部中的至少一者以圆当量直径20-200mm旋转。

上述课题也可以通过第二表面处理装置解决,该第二表面处理装置是对至少一部分浸渍在液体中的被处理物实施表面处理的装置,该装置具有向被处理物的被处理面喷射处理液的喷射部,并具有将所述被处理物相对于液面倾斜固定的固定机构以及使所述喷射部旋转的喷射部旋转机构。

上述第二表面处理装置优选还具有倾斜机构,该倾斜机构使所述喷射部倾斜,以使从所述喷射部喷射的处理液的喷射方向与所述被处理物的被处理面垂直。

上述课题也可以通过第三表面处理装置解决,该第三表面处理装置是对至少一部分浸渍在液体中的被处理物进行表面处理的装置,该装置具有向被处理物的被处理面喷射处理液的喷射部,所述喷射部与所述被处理物相对设置,并且具有使所述喷射部以与所述被处理面平行的轴为中心旋转的喷射部旋转机构。

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