[发明专利]谐振器以及谐振装置有效

专利信息
申请号: 201880059636.X 申请日: 2018-05-10
公开(公告)号: CN111133677B 公开(公告)日: 2023-07-18
发明(设计)人: 西村俊雄 申请(专利权)人: 株式会社村田制作所
主分类号: H03H9/24 分类号: H03H9/24;H03H3/013
代理公司: 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 代理人: 王玮;张丰桥
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 谐振器 以及 谐振 装置
【说明书】:

在谐振器中,能够高精度地调整频率温度特性。谐振器具备:振动部;保持部,被设置成包围振动部的至少一部分;以及保持臂,连接振动部和保持部,该振动部具有:第一电极和第二电极;压电膜,形成于第一电极与第二电极之间,并具有与第一电极对置的第一面;以及至少2个温度特性调整膜,隔着第一电极与压电膜的第一面对置地形成,振动部具有与压电膜的第一面对置的表面,该表面包括第一区域以及在振动部振动时平均位移比第一区域大的第二区域,至少2个温度特性调整膜包括在第一区域中的分别不同的区域露出的、频率温度系数为正的第一温度特性调整膜以及频率温度系数为负的第二温度特性调整膜。

技术领域

本发明涉及谐振器以及谐振装置。

背景技术

以往,使用了MEMS(Micro Electro Mechanical Systems:微机电系统)技术的谐振器例如作为定时设备来使用。该谐振器安装在设置于智能手机等电子设备内的印刷电路基板上。在MEMS谐振器中,进行了用于改善频率温度系数(TCF:Temperature Coefficientsof Frequency)的各种尝试。

例如在专利文献1中,公开了主面被两种调整膜覆盖的压电MEMS的谐振器。在专利文献1的谐振器中,在谐振器中的起到弹簧的作用的区域(弹簧部)形成有基于蚀刻的质量减少速度较小的调整膜。另一方面,在谐振器中的位移较大的区域形成有质量减少速度较大的调整膜。进一步,在专利文献1中,公开了通过在弹簧部形成质量减少速度较小的膜,从而能够抑制由蚀刻引起的温度特性的变化。

专利文献1:国际公开第2015/108125号

但是,例如在如专利文献1那样的以往的谐振器中,由于频率调整的影响,温度特性会发生变化。因此,为了高精度地调整频率温度特性,需要进一步改善。

发明内容

本发明是鉴于这样的情况而完成的,其目的在于在谐振器中,高精度地调整频率温度特性。

本发明的一个方面的谐振器具备:振动部;保持部,被设置成包围振动部的至少一部分;以及保持臂,连接振动部和保持部,该振动部具有:第一电极和第二电极;压电膜,形成于第一电极与第二电极之间,并且具有与第一电极对置的第一面;以及至少2个温度特性调整膜,隔着第一电极与压电膜的第一面对置地形成,振动部具有与压电膜的第一面对置的表面,该表面包括第一区域以及第二区域,在振动部振动时,第二区域的平均位移比第一区域的平均位移大,至少2个温度特性调整膜包括频率温度系数为正的第一温度特性调整膜以及频率温度系数为负的第二温度特性调整膜,第一温度特性调整膜以及第二温度特性调整膜分别在第一区域中的不同的区域露出。

根据本发明,在谐振器中,能够高精度地调整频率温度特性。

附图说明

图1是示意性地表示本发明的第一实施方式的谐振装置的外观的立体图。

图2是示意性地表示本发明的第一实施方式的谐振装置的构造的分解立体图。

图3A是取下上侧基板的本发明的第一实施方式的谐振器的俯视图。

图3B是取下上侧基板的本发明的第一实施方式的谐振器的俯视图的其它例子。

图4是沿着图3A的AA’线以及BB’线的剖视图。

图5是本发明的第二实施方式的谐振器的俯视图。

图6是本发明的第三实施方式的谐振器的俯视图。

图7是本发明的第四实施方式的谐振器的俯视图。

图8是沿着图7的CC’线的剖视图。

具体实施方式

[第一实施方式]

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