[发明专利]用于实现具有闪存存储器的可配置的卷积神经网络的系统和方法

权利要求书

1.一种存储器阵列，包括：

多个存储器单元，所述多个存储器单元按行和列布置，其中所述存储器单元中的每个存储器单元包括：

间隔开的源极区和漏极区，所述间隔开的源极区和漏极区形成于半导体衬底中，其中沟道区在所述源极区和所述漏极区之间延伸，

浮栅，所述浮栅设置在所述沟道区的第一部分上方并与所述第一部分绝缘，和

第二栅极，所述第二栅极设置在所述沟道区的第二部分上方并与所述第二部分绝缘；

多条位线，所述多条位线各自沿着所述列中的对应列延伸，其中对于所述位线中的每条位线及其对应列，所述位线电连接到所述对应列中的所述存储器单元中的第一组一个或多个存储器单元的所述漏极区，并与所述对应列中的所述存储器单元中的第二组一个或多个存储器单元的所述漏极区电隔离；

多条源极线，所述多条源极线各自电连接到所述列中的一列或所述行中的一行中的所述存储器单元中的至少一些存储器单元的所述源极区；

多条栅极线，所述多条栅极线各自电连接到所述列中的一列或所述行中的一行中的所述存储器单元中的至少一些存储器单元的所述第二栅极；

其中：

所述行中的第一行包括在行方向上彼此相邻定位的第一多个存储器单元，其中所述第一多个存储器单元中的每个存储器单元的所述漏极区电连接到所述位线中的一条位线；

所述行中的所述第一行包括在所述行方向上围绕所述第一多个存储器单元的第二多个存储器单元，其中所述第二多个存储器单元中的每个存储器单元的所述漏极区未电连接到所述位线中的任一条位线；

所述行中的第二行与所述行中的所述第一行相邻并包括在所述行方向上彼此相邻定位的第三多个存储器单元，其中所述第三多个存储器单元中的每个存储器单元的所述漏极区电连接到所述位线中的一条位线；

所述行中的所述第二行包括在所述行方向上围绕所述第三多个存储器单元的第四多个存储器单元，其中所述第四多个存储器单元中的每个存储器单元的所述漏极区不电连接到所述位线中的任一条位线；

其中所述第一多个存储器单元中的一个存储器单元和所述第四多个存储器单元中的一个存储器单元在相同列中。

2.根据权利要求1所述的存储器阵列，其中对于所述位线中的每条位线及其对应列，所述存储器阵列还包括：

多个位线触件，所述多个位线触件各自将所述第一组中的所述存储器单元中的一个存储器单元的所述漏极区电连接到所述位线。

3.根据权利要求2所述的存储器阵列，其中对于所述位线中的每条位线及其对应列，所述第二组中的所述存储器单元中的每个存储器单元不具有将所述漏极区电连接到所述位线的位线触件。

4.根据权利要求1所述的存储器阵列，其中对于所述位线中的每条位线及其对应列，所述存储器阵列还包括：

多个第一熔断器，所述多个第一熔断器各自电连接在所述第一组中的所述存储器单元中的一个存储器单元的所述漏极区与所述位线之间，其中所述第一熔断器中的每个熔断器处于导电状态；

多个第二熔断器，所述多个第二熔断器各自电连接在所述第二组中的所述存储器单元中的一个存储器单元的所述漏极区与所述位线之间，其中所述第二熔断器中的每个熔断器处于非导电状态。

5.根据权利要求1所述的存储器阵列，其中所述位线中的一条位线电连接到所述第一多个存储器单元中的一个存储器单元的所述漏极区，并且不电连接到所述行中的所述第二行中的所述存储器单元的任何漏极区。