[发明专利]芯片部件的制造方法在审
申请号: | 201880058972.2 | 申请日: | 2018-09-10 |
公开(公告)号: | CN111095489A | 公开(公告)日: | 2020-05-01 |
发明(设计)人: | 小熊勇;绪方孝友;舟桥茂;太田英武 | 申请(专利权)人: | 日本碍子株式会社;NGK陶瓷设备株式会社 |
主分类号: | H01L21/301 | 分类号: | H01L21/301;H01G4/30;H01L21/683 |
代理公司: | 北京旭知行专利代理事务所(普通合伙) 11432 | 代理人: | 王轶;李伟 |
地址: | 日本国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 芯片 部件 制造 方法 | ||
提供一种芯片部件的制造方法,能够将多个芯片在粘贴于基片上的状态下进行处理,并能够将多个芯片在粘贴于基片的状态下至少进行表面处理。所述芯片部件的制造方法具有:将生坯片等保持于载体片上的工序、将保持于载体片上的生坯片等与载体片的一部分一起进行切断的工序、将切断后的生坯片等中的至少虚设部与载体片的一部分一起进行剥离从而将多个芯片残留于载体片上的工序、以及在将多个芯片保持于载体片的状态下,对通过剥离而露出来的多个芯片的侧面部至少实施表面处理的工序。
技术领域
本发明涉及一种芯片部件的制造方法,例如,所涉及的芯片部件的制造方法适用于压电元件等的陶瓷制芯片部件的制造方法也是优选的制造方法。
背景技术
以往,作为芯片部件的制造方法,例如,公开有日本专利第5556070号公报中记载的制造方法。该制造方法具有以下工序:工序1,即,将1层切割带一体型粘接片贴合于半导体晶片的工序,其中该1层切割带一体型粘接片是将粘接片和通过能量射线照射而使粘合力降低的切割带进行层叠之后而得到的;以及工序2,即,通过切断半导体晶片和粘接片,从而将半导体晶片进行单片化来制作出多个半导体芯片的工序。
发明内容
不过,将半导体晶片进行单片化而得到的半导体芯片已经经由了离子注入工序、布线工序、电极形成工序等,并通过单片化而完成为半导体芯片。
另一方面,在芯片部件中,在将陶瓷生坯片或陶瓷层叠体进行单片化而制成出多个芯片后,为了在芯片的侧面形成电极等,还必须再投入到至少实施表面处理的工序中。因为芯片非常小,又是制作多个芯片,所以,存在着难以处理、且难以进行对各芯片实施表面处理时的定位这样的问题。
本发明是考虑到这样的问题而提出的,其目的在于提供一种实现下述效果的芯片部件的制造方法。
(a)能够将多个芯片在粘贴于基片的状态下进行处理,从而能够容易地投入于后续工序。
(b)能够将多个芯片在粘贴于基片的状态下至少进行表面处理。
[1]本发明的芯片部件的制造方法的特征在于,具有以下工序:将陶瓷的生坯片或生坯层叠体保持于载体片的工序;将保持于所述载体片的所述生坯片或生坯层叠体与所述载体片的一部分一起进行切断的工序;将切断后的所述生坯片或生坯层叠体中的至少未成为产品的部分与所述载体片的一部分一起进行剥离,从而将多个芯片残留于所述载体片上的工序;以及在将所述多个芯片保持于所述载体片的状态下,对通过所述剥离而露出来的所述多个芯片的侧面部至少实施表面处理的工序。
由此,能够将多个芯片在粘贴于载体片的状态下进行处理,从而能够容易地投入于后续工序。并且,能够将多个芯片在粘贴于载体片的状态下至少进行表面处理。因此,通过将结束了表面处理后的芯片(芯片部件)从基片上进行剥离,从而能够容易地制作出多个芯片部件。
[2]在本发明中,可以进一步具有以下工序:在将所述多个芯片保持于新的载体片上之后,从当初所贴合的载体片上剥离所述多个芯片的工序;将保持于所述新的载体片上的所述芯片与所述载体片的一部分一起进行切断的工序;将切断后的所述芯片中的至少未成为产品的部分与所述载体片的一部分一起进行剥离,从而将多个芯片残留于所述载体片上的工序;以及在将所述多个芯片保持于所述新的载体片的状态下,对通过所述剥离而露出来的所述多个芯片的另一侧的侧面部至少实施表面处理的工序。由此,能够形成出多个复杂形状的芯片,并且能够在各芯片的多个侧面分别形成出电极膜。
[3]在本发明中,所述载体片优选层叠有两层以上的基片,该基片具有基材层、和形成于该基材层的一个面的粘合层。
由此,在剥离被切断后的所述生坯片或生坯层叠体中的至少未成为产品的部分时,载体片的第一层(上层)的基片中的与未成为产品的部分对应的位置也被剥离。其结果,在第一层片上形成:具有沿着芯片侧面的侧壁的凹部。
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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